(株)タムラ製作所【6768】の掲示板 2021/10/14〜2021/10/20

>>207

酸化ガリウムのウェハーは柔らかい、ＳｉＣのウェハーは硬いです。硬さは、加工をむずかしくするだけでなく、ウェハーのサイズの大きさを制限します。大きなサイズのウェハーをつくれるということが、ＳｉＣに対する酸化ガリウムの優位点である、と考えます。
ウェハーの厚さは均一でないといけません。しかし大きくすると、厚さを均一にするのがむずかしくなります。インテルが４５０ｍｍのシリコンウェハーで失敗したのはそのためだと思います。現実に、３００ｍｍのシリコンウェハーでさえ、高品質な研磨剤に依存しています。研磨剤の品質が今以上に良くなっても、２００ｍｍや３００ｍｍのＳｉＣウェハーをつくるのはたぶん無理です。しかし酸化ガリウムであれば、可能であると考えられます。
消費電力や発熱の点でも、酸化ガリウムを使えばＳｉＣを使うよりよいものがつくれるでしょう。ただノベルが製造するβ相酸化ガリウムウェハーは、Ｐ層がありません。ウェハーを製造した後、Ｐ層をドーピングすることは可能で、そうなると見ていたのですが、シリコンで製造したＬＳＩとのパッケージングが現実的であるというのが、大方の予想になっているように思います。
他方、バイポーラトランジスタだけの回路でよければ、Ｎ層だけのＬＳＩがつくれます。現在、トヨタとタムラが共同技術開発しています。トヨタが、ＨＶやＥＶで使用する電源を４ｋＨｚ以上の高周波電源にしたいと考えているようなら、Ｎ層だけの酸化ガリウム半導体があり得ます。ただし、それで冷却装置を不要にできるかどうかがわかりません。冷却装置を不要にできないようなら、Ｎ層だけの酸化ガリウム半導体で高周波電源を製造する場面はおそらくない、と考えます。