(株)タカトリ【6338】の掲示板 2024/04/10〜2024/06/07

モース硬さは9.5であり、SiCの硬度はの約４倍と硬くSiCインゴットをスライスしてウエハーにするのは従来の加工機では難しいのではないか。切り出したウエハーの表面を磨き上げ、仕上げ加工が極めて難しい。

タカトリのパワー半導体材料（SiC）の加工機、世界シェア90％超えている。今のうちに納入実績を作り、性能が評価されれば更なる注文が入ってくる。Si半導体を作るにはシリコンの純度が「99.999999999％」（イレブン・ナインという「超高純度の単結晶構造」が要求される。

SiCは、シリコン（Si）と炭素（C）で構成される化合物半導体材料。半導体を作るには超高純度の化合物半導体材料が要求され、化合物で高純度のSiCインゴットを作るのは難度が高い。それをスライスする加工機はできている。後は効率よく安くSiCインゴットを作るかが問題。

SiCパワー半導体の潜在能力は誰しも知っている。各メーカーがSiCパワー半導体の研究開発にしのぎを削り、そこに大きな投資をしている。効率よく安くSiCインゴットを作れば、SiCパワー半導体は普及する。