投稿一覧に戻る
日本電子(株)【6951】の掲示板 2019/02/27〜2020/02/21
-
>>765
>「EUV用のフォトレジスト」の欠陥を検査
一般的に検査対象は転写されたパターンだと思います。
半導体は平面的な密度を上げてきましたが、近年構造の三次元化においては，特にメモリなどでは縦方向に素子を積層する3D-NANDが急速に拡大しております。今現在積層数は100層くらいになっているはずです。
いわゆるFin-FETです。製造プロセスも多様化しており、欠陥の種類も様々です。
微細化に伴う寸法精度の向上だけでなく，深穴や深溝底の寸法計測や実パターンでの重ね合わせ裕度の計測ニーズが増大しております。これに伴い，実パターンの計測を可能とする高加速電圧の測長SEM（CD-SEM）のニーズが高まっているようです。
morinokuma3
morinokuma3さん、おはようございます。
昨日の、レジスト内部に埋もれた欠陥を検査する試みも行われてるみたいのくだりの件ですが〜話が飛躍しますが、将来的には「EUV用のフォトレジスト」の欠陥を検査する事も可能になるかも⁇っていう捉え方でもいいんでしょうか。