日本電子(株)【6951】の掲示板 2019/02/27〜2020/02/21

>>765

>「EUV用のフォトレジスト」の欠陥を検査

一般的に検査対象は転写されたパターンだと思います。

半導体は平面的な密度を上げてきましたが、近年構造の三次元化においては，特にメモリなどでは縦方向に素子を積層する3D-NANDが急速に拡大しております。今現在積層数は100層くらいになっているはずです。
いわゆるFin-FETです。製造プロセスも多様化しており、欠陥の種類も様々です。

微細化に伴う寸法精度の向上だけでなく，深穴や深溝底の寸法計測や実パターンでの重ね合わせ裕度の計測ニーズが増大しております。これに伴い，実パターンの計測を可能とする高加速電圧の測長SEM（CD-SEM）のニーズが高まっているようです。