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SiC半導体の需要がCMOSイメージセンサやデータバッファ需要に繋がると言う話は良くわかりません。むしろそれぞれは独立して進化する話ならよくわかる。ちなみにSiC半導体は従来のシリコン半導体では対応出来ない電界強度を扱うからこそ必要となり、一定以上に微細化を進めるのは本末転倒です。
また、一定以上の光量を必要としあるところから微細化がデメリットとなるイメージセンサがナノメートルルールを採用する必要性は良くわかりません。
雰囲気だけで投資していると、いずれババを引くのが個人投資家の宿命です。
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