野村マイクロ・サイエンス(株)【6254】の掲示板 2024/05/17〜2024/05/27

ーーサムスン電子、業界最大容量の高帯域幅メモリー開発－上期量産を予定ーー
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2024年2月27日

・12層から成る36ギガバイトの「ＨＢＭ３Ｅ 12Ｈ」を開発したと発表
・顧客へのサンプル出荷を既に始め、2024年前半の量産開始を予定する

サムスン電子は、人工知能（ＡＩ）用の超高性能ＤＲＡＭ（記憶保持動作が
必要な随時書き込み読み出しメモリー）の新製品で、12層から成る業界最大
容量36ギガバイトの高帯域幅メモリー（ＨＢＭ）「ＨＢＭ３Ｅ 12Ｈ」を開発
したと発表した。

同社は顧客へのサンプル出荷を既に始め、2024年前半の量産開始を予定して
いる。
36ギガバイトは「ＨＢＭ３ ８Ｈ」を50％余り上回る。

一方、半導体メモリー製造で米最大手のマイクロン・テクノロジーは、
24ギガバイトの「ＨＢＭ３Ｅ ８Ｈ」の量産を開始したと明らかにした。

今年４－６月（第２四半期）に納入が始まるエヌビディアの画像処理半導体
（ＧＰＵ）本体チップ（H200 Tensor Core GPU）に搭載される。