投稿一覧に戻る クラスターテクノロジー(株)【4240】の掲示板 2019/11/09〜2020/01/06 403 ポワロ&シャーロック 2019年11月29日 21:50 >>402 内容は全く分かりませんが、クラスターテクノロジー製インクジェット装置が出てきますね。 特許の説明の一部「第1電極2および第2電極3の幅(チャネル幅)は200μm、第1電極2および第2電極3の間隔(チャネル長)は250μmとした。ゲート電極5は第2電極3と平行に配置し、ゲート電極5と第2電極3の間隔は5mmとした。電極が形成された基板上に上記(1)に記載の方法で作製した半導体溶液Aをインクジェット装置(クラスターテクノロジー(株)製)を用いて400pl滴下して半導体層4を形成し、ホットプレート上で窒素気流下、150℃で30分の熱処理を行い、半導体素子を得た。」 そう思う15 そう思わない1 開く お気に入りユーザーに登録する 無視ユーザーに登録する 違反報告する 証券取引等監視委員会に情報提供する ツイート 投稿一覧に戻る
ポワロ&シャーロック 2019年11月29日 21:50
>>402
内容は全く分かりませんが、クラスターテクノロジー製インクジェット装置が出てきますね。
特許の説明の一部「第1電極2および第2電極3の幅(チャネル幅)は200μm、第1電極2および第2電極3の間隔(チャネル長)は250μmとした。ゲート電極5は第2電極3と平行に配置し、ゲート電極5と第2電極3の間隔は5mmとした。電極が形成された基板上に上記(1)に記載の方法で作製した半導体溶液Aをインクジェット装置(クラスターテクノロジー(株)製)を用いて400pl滴下して半導体層4を形成し、ホットプレート上で窒素気流下、150℃で30分の熱処理を行い、半導体素子を得た。」