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クラスターテクノロジー(株)【4240】の掲示板 2019/11/09〜2020/01/06

>>402

内容は全く分かりませんが、クラスターテクノロジー製インクジェット装置が出てきますね。
特許の説明の一部「第1電極2および第2電極3の幅(チャネル幅)は200μm、第1電極2および第2電極3の間隔(チャネル長)は250μmとした。ゲート電極5は第2電極3と平行に配置し、ゲート電極5と第2電極3の間隔は5mmとした。電極が形成された基板上に上記(1)に記載の方法で作製した半導体溶液Aをインクジェット装置(クラスターテクノロジー(株)製)を用いて400pl滴下して半導体層4を形成し、ホットプレート上で窒素気流下、150℃で30分の熱処理を行い、半導体素子を得た。」