(株)ＳＵＭＣＯ【3436】の掲示板 2021/06/19〜2021/06/30

両面ゲートIGBTスイッチング損失を6割低減　シリコンIGBTの性能向上を実証　東大など、裏表の両面ゲート化により、Siパワーデバイスの性能向上に成功
https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2012/09/news035.html

賞味期限切れですが、少し前に書いた「シリコン製パワー半導体の開発最前線ニュースがある」といったのはこれでした。シリコンは300ｍｍで量産が可能で化合物半導体に比べて加工がしやすく、まだ技術革新は止まっていないようです。