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レーザーテック(株)【6920】の掲示板 2019/12/23〜2019/12/29
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>>1048
開口率NA=n•sin thetaであり、EUVでは屈折率nは1.0、光学系の開口角シータは9幾何学的には90°ですが、反射光学系では8枚反射非球面鏡がお互い光線を邪魔しあって、 thetaをあげるのは難しいです。10枚構成にすれば少し上がりますが、反射鏡の反射率が落ちてウエハー面光強度が落ちて、光源の明るさを上げざるを得ず、電力消費、熱発生から難しいです。いずれにしても、それが可能になってもそこで終わりです。
露光装置の一番の問題は、ウエハーのスループットが高い事、経済的にそこは譲れませんので、新しい露光方式は絶望的に難しいです。現在のEUVにたどり着くのに、学会、企業、研究所が寄ってたかって無理かもしれないと思いながら30年以上かかり、やっと量産に載せたのが現実です。
Drnishizawa
＞＞１０４０：
確かに現状の短波長化は困難でしょうね。現状の技術の延長線上では。
しかし、半導体露光技術における解像度（ハーフピッチ）は露光波長に比例するが、光学系の開口率に反比例しますね。
従って、現状のEUV露光の限界は3nmと言われており、次々世代ロジック（２０２４年：2nm）の時の次世代EUV露光開口率を対現状比１．６６倍にするのです。そうすれば、露光波長を変えなくても2nmロジック製品ができます。
ASMLは投影光学系に関しては、Carl Zeiss SMTと開発パートナーを組んで現在、次世代EUV露光機開発・試作に専念しています。２０２４年出荷目指して。現在、ASMLは既に３社から４台受注済みです。次世代改善型EUV露光装置を。半導体技術にボトルネックが存在しても、過去同様、人間技術者の知恵はそれを乗り越えていきますからね。こんなに、微細化技術が進展するとは過去に予想できた人はいなかったでしょうね。