レーザーテック(株)【6920】の掲示板 2019/12/23〜2019/12/29

余談ですが、ASMLが競合に追いつかれない要素がありまして、ASMLは一台のスキャナーに勿論投影光学系は一台ですが、ウエハーステージは二台付いていて、順番にウエハーをセット、位置測定、露光、ウエハー排出を交互に繰り返すので、スループットが高いです。露光機はスループットが競争力なんです。

来年はキャッシュレス銘柄だよ。

>>1054

返信ありがとうございました。

>いずれにせよ、１つの目安としてシリコンの格子定数も0.54nmですので、デバイス、配線的にも、2nmくらいで打ち止めだと思います。

不純物濃度コントロールも無理が出そうです。

え？　今から1億倍になるの？　
5兆円も夢でないな！

>>1051

k1を下げるには、超解像技術を使うのでしょうが、暗いEUV光源では、照明系の瞳を制限するのも難しく、斜め光線なので収差も出易く、反射マスクなので位相シフトも難しいので、非常に難易度が高いのではないでしょうか？

いずれにせよ、１つの目安としてシリコンの格子定数も0.54nmですので、デバイス、配線的にも、2nmくらいで打ち止めだと思います。

すみません、NAは開口数、numerical aperture でした。

>>1051

そうですね。それで何百万枚の量産技術として2nmが限界と私は思っているのですが。

>>1049:
◎開口率に関して：
現状ＥＵＶのNAは０．３３です。
光学系ＮＡを０．３３→０．５５にすれば次世代EUVNA露光装置ができます。
また、Reyleigh式のK1ファクターを小さくして更なる次々世代EUV露光装置開発をも計画しています。

◎スループットに関して：
EUV光源出力の改善を図っています。
ASMLの当初の光源出力は２５０Wでしたが、既に、TSMCでは、２８０Ｗ開発に続き、３００Wを２０１９年中に、３５０Ｗクラスを２０２０年に開発する計画になっています。〇〇〇企業と協同開発で。

私が大学で光学を習った先生は、非常に有名な人ですが、講義で光学は幾何光学、物理光学、反射、干渉、回折、散乱など非常に多様な別々の面を持っているので、ある意味量子力学より分かりにくい。それをよく理解するには身近な現象と結び付けて考えるように、とおっしゃいました。
私は半導体プロセスに進んだので、光学現象は常に身近で、光学と言う学問をよく理解するのには機会に恵まれました。

>>1048

開口率NA=n•sin thetaであり、EUVでは屈折率nは1.0、光学系の開口角シータは9幾何学的には90°ですが、反射光学系では8枚反射非球面鏡がお互い光線を邪魔しあって、 thetaをあげるのは難しいです。10枚構成にすれば少し上がりますが、反射鏡の反射率が落ちてウエハー面光強度が落ちて、光源の明るさを上げざるを得ず、電力消費、熱発生から難しいです。いずれにしても、それが可能になってもそこで終わりです。
露光装置の一番の問題は、ウエハーのスループットが高い事、経済的にそこは譲れませんので、新しい露光方式は絶望的に難しいです。現在のEUVにたどり着くのに、学会、企業、研究所が寄ってたかって無理かもしれないと思いながら30年以上かかり、やっと量産に載せたのが現実です。

＞＞１０４０：
確かに現状の短波長化は困難でしょうね。現状の技術の延長線上では。
しかし、半導体露光技術における解像度（ハーフピッチ）は露光波長に比例するが、光学系の開口率に反比例しますね。

従って、現状のEUV露光の限界は3nmと言われており、次々世代ロジック（２０２４年：2nm）の時の次世代EUV露光開口率を対現状比１．６６倍にするのです。そうすれば、露光波長を変えなくても2nmロジック製品ができます。

ASMLは投影光学系に関しては、Carl Zeiss SMTと開発パートナーを組んで現在、次世代EUV露光機開発・試作に専念しています。２０２４年出荷目指して。現在、ASMLは既に３社から４台受注済みです。次世代改善型EUV露光装置を。半導体技術にボトルネックが存在しても、過去同様、人間技術者の知恵はそれを乗り越えていきますからね。こんなに、微細化技術が進展するとは過去に予想できた人はいなかったでしょうね。

>>1042

私も新しい技術はよくわかりませんが、インテルが開発して微細化トランジスタの主流となったFINFETはスピードが5nmで限界に達して、サムソンは3nmからは立体構造にするとネットに出ていました。TSMCは？
半導体の新技術は、シリコン以外のチャンネルを使うと、何百万枚と言う量産性、数億コのトランジスタを集積した時の歩留まり、熱的安定性、何十年と言う信頼性が満たすか検証が必要ですので、新しい材料においそれと移行するのは難しいです。
IEDMとかVLSI シンポジウムとかに出席して議論に加わる様な現役の研究者に聞かないと、その辺はよくわかりませんが。

下手にあちこち買うより、ここと東洋合成握ってた方がいい結果出そうな気がしてきたな～　う～む

分割して更に上がりましたね↑↑
PTSでも現在上げています❗️
大納会もかなり期待できますね😊

テーマ、業績も良いし言うことなし❗️
半導体は好調ですし、レーザーテックはシェア100%の商品があり強すぎる❗️❗️
2月の決算も数字良さそうですし、上がる要素しか見当たりません↑↑

大発会はお祝儀、期待相場で更に跳ね上がる可能性もあります❗️
買うから今のうちかもしれません😊
すぐに分割する前の10,000円近く上がってもおかしくないぐらい超オススメの好銘柄です🌈

持ってて楽しみでしかありませんね♪

>>1041

他の業界と違い半導体製造装置は研究開発費が膨大で、ノウハウも多く、半導体メーカーとの共同開発の部分も多く、常に技術が進化しているので永遠に勝ち続けて売り上げで開発投資を回し続けないと脱落する厳しい世界ですので、後発が簡単に入れるものではありません。
ですから、中国、韓国が補助金を貰っても主要なプレーヤーになれない現状があります。

>>1039

おっしゃる通りです‼️売りたい強き、買いたい弱気、いずれも無視して進んで行きましょう‼️頑張れ❗レーザーテック‼️キッス♥️

>>1040

非常に興味深いです。
一方でデバイス自体の微細化の限界にも関心があるのですが、今の○nmルールと呼ばれている数字は、配線幅でも間隔でもチャネル長でさえないとの話、そんな中で額面上の○nmルールと言う数字のシュリンクではなく実際のトランジスタと配線等の微細化がまだ可能なのかどうか。

個人的には、電界強度の限界・RC積上昇による実用面での限界にほぼ達したのではと思っていますが。

>>1031

temさんや他の方が言っていること、ビジネスの常識が最低限も理解できない、わからない方に、丁寧に教えてあげる必要なんてないのでは・・・

利益が産まれる市場に参入しようなんて誰もが考えること。
そのために企業は、前々から技術や人材を開発・確保、取引先と信頼を築き、販売ルートの整備を行うなど努力を重ね、競争し、その結果、今の状況を獲得しています。
その技術や人材、市場における信頼などは、「あぁうまくやってる企業がある、よし、私たちも真似して儲けてやろう！」と思っても簡単には手に入らない。
そんな簡単に真似できて、新規参入が簡単ならば、このような社会構造になってません。
市場のリーダーをわざわざ目指さず、後追いのフォロワーばかり、そして後追いが勝つ、そんな構造になってません。

というような、企業経営理論など勉強せずとも、一般的な知識があれば想像できるようなことを理解できない人、もしくはわざと煽ってる人なんて無視で十分ですよ。

以前から目をつけて、保持されている方を妬んでいるだけですよ。
かくいう私も羨ましいし、研究熱心さは見習わなければと思います。
そう簡単には身につかないものなのでしょうね。
まだ、レーザーテックについては7,000円くらいの時に気づけたのでマシかもしれませんが、何せ1年以上前から、この企業の名前を知っていたのですから・・・

現在のASMLのEUV技術は、もう30年くらい前から、紫外線ステッパーの後継としてのNGL技術(新世代リソグラフィー)として学会、業界で開発が進められて来て、その頃はX線等倍転写、電子線筆書き直接描像、そしてNTTの人が初めて成功した軟X線の縮小反射光学系露光、などのどれが量産に成功するかわからない中で、光源、光学系、マスクなどの開発が進められて来ました。なお、EUVと言う名前は、科学研究費を貰うテーマ名として、X線等倍転写に対抗する名前として、新機軸を際立たせるために使用した様な記憶があります。
EUVは光源、マスク材、検査、反射縮小投影光学系、など非常に難しくて、実際半導体業界の人もASMLが装置を量産してそれを半導体量産に使用され始めた時に、まさか、と驚いたものです。勿論ニコン、キヤノンは脱落していきました。
そんな、難しい技術ですので、後発メーカーが追いつくのは難しく、また、ASMLとしても現在の錫プラズマからの13.5nmの波長より短くすると、新しい強い光源、高反射の反射コート蒸着膜の材質、高反射のマスク材など、開発項目が多すぎ、これ以上の短波長化は難しいのではないかと、シロートですが思っています。
勿論電子線の直接描像ではスループットが遅すぎて量産には向きません。