(株)ＳＵＭＣＯ【3436】の掲示板 2020/08/14〜2020/09/03

>>1012

genさん、こんにちは。
ネットで検索した知識ですが、
2nmのトランジスタは、p,nナノシートトランジスタを真ん中をダイイレクトリック ウオールで仕切った、2D型のForksheet、もしくは、p FINFETの上にnFINFETを積み上げた、3D型、1nmは、pシートトランジスタの上にnシートトランジスタを積み上げた、CFETの3D型、がトレンドみたいですね。
いずれも積み上げたシリコンチャンネルは単結晶である必要がありますので、下地シリコンウエハーの上に、単結晶シリコン、単結晶シリコンゲルマをALDで交互にエピタキシャル成長させて、間のSiGe層を、HCLガスで選択エッチして除去してシリコンビーム、もしくはシリコンFINを残す超格子方法で形成されると思います。
TSMCの2nmがどれで来るか楽しみですね。