投稿一覧に戻る
レーザーテック(株)【6920】の掲示板 2019/12/23〜2019/12/29
-
>>1051
そうですね。それで何百万枚の量産技術として2nmが限界と私は思っているのですが。
-
>>1051
k1を下げるには、超解像技術を使うのでしょうが、暗いEUV光源では、照明系の瞳を制限するのも難しく、斜め光線なので収差も出易く、反射マスクなので位相シフトも難しいので、非常に難易度が高いのではないでしょうか？
Drnishizawa
>>1049:
◎開口率に関して：
現状ＥＵＶのNAは０．３３です。
光学系ＮＡを０．３３→０．５５にすれば次世代EUVNA露光装置ができます。
また、Reyleigh式のK1ファクターを小さくして更なる次々世代EUV露光装置開発をも計画しています。
◎スループットに関して：
EUV光源出力の改善を図っています。
ASMLの当初の光源出力は２５０Wでしたが、既に、TSMCでは、２８０Ｗ開発に続き、３００Wを２０１９年中に、３５０Ｗクラスを２０２０年に開発する計画になっています。〇〇〇企業と協同開発で。