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(株)タムラ製作所【6768】の掲示板 2020/12/31〜2021/05/25
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>>664
β型酸化ガリウムは、
シリコンカーバイド(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりもバンドギャップが広く、デバイスとした時に高耐圧化・大電流化が容易で、耐環境性能に優れた材料特性を持つ
また半導体作製プロセスにおいて一般的な技術である、液相での結晶成長および気相でのエピタキシャル層成長を用いるため、SiCなどと比較して製造コスト面で有利になることが期待される。
>>663
β型酸化ガリウム(β-Ga2O3)
低コストと高性能を両立できる製品であり、省エネ型社会の実現に向け、その期待は益々高まっている。