(株)タカトリ【6338】の掲示板 2024/04/10〜2024/06/07

SiCは、シリコン（Si）と炭素（C）で構成される化合物半導体材料です。 シリコンに比べ、更に結合力が強く、熱的、化学的、機械的に安定している物質です。

モース硬さは9.5であり、ダイヤモンドや炭化ホウ素に次いで硬いでSiCの硬度はSiの約４倍と硬くまたこれらの材料は化学的・熱的に安定であるため、基板として利用する際の仕上げ加工が極めて難しく（難加工性半導体材料）、加工プロセスの高速化、低コスト化が課題となっています。

タカトリのパワー半導体材料（SiC）の加工機、世界シェア90％超え。今のうちに他の業者が参入しないうちに実績を作りタカトリの名声を確立すること。SiとSiCでは結晶の作り方が異なるためSiに比べてウエハーの価格が高い、結晶欠陥が発生しやすいなど課題があるが、SiCの特性を引き出すためSiCウエハーの品質を高める努力がなされている。世界中の企業がSiCパワー半導体の開発、投資に動き出している。

タカトリのパワー半導体材料（SiC）の加工機の注文もSiCウエハーの品質向上、低価格進めば入ってくる。デンソーは、２０３０年までに半導体分野へ約５０００億円を投じ、関連事業の売上高を３５年に現状比３倍に拡大する。炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体などの生産を拡大し、コスト競争力を強化する。

ロームのSiCパワー半導体にかける気力がますます充実し始めた。28年3月期までに何と5100億円を投資し、SiCパワー半導体の世界シェアを30～50%獲得狙う。SiC基盤の製造も予定している。