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kin***** 強く買いたい 6月24日 21:10

これは、グッド・ニュース😄

東北大学や日本製鋼所、三菱ケミカルの研究グループは、次世代半導体の基板材料として期待されている窒化ガリウム(GaN)結晶の新しい製造手法を開発した。結晶中にできる微細な空洞の数が従来手法に比べて最大1000分の1程度に減り、半導体の寿命延長につながる可能性がある。三菱ケミカルは同手法を活用して2022年中にGaN基板のサンプルを出荷し、23年度以降に量産することを目指す。