<重要なお知らせ>掲示板の利用規約について
この度、Yahoo!ファイナンス掲示板の利用規約を改訂いたしましたのでお知らせいたします。
主な修正点として、各禁止事項における詳細説明及び禁止投稿例を追加しました。
規約はこちら→【掲示板】禁止行為、投稿に注意が必要な内容について

【改めてご確認ください】
 ・他人の個人情報にくわえ、投稿者自身の個人情報も削除対象です。
 ・無関係な画像や漫画・アニメなど他人の著作物だと判断される画像は削除対象です。
 ・同様の画像がプロフィールで使用されている場合は、初期化対象です。
ここから本文です
Yahoo!ファイナンス
投稿一覧に戻る

(株)レゾナック・ホールディングス【4004】の掲示板 2016/05/15〜2016/09/16

  • >>297

    パワー半導体用SiCエピウェハー 高品質グレードの生産能力増強
    -HGEを量産、フルSiCパワーモジュールの実用化に貢献-




    昭和電工株式会社(社長:市川 秀夫)は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素(以下、SiC)エピタキシャルウェハー(以下、エピウェハー)の高品質グレード「ハイグレードエピ(以下、HGE)」において、月産3000枚(注1)の生産体制を確立し、量産を開始しました。
    HGEは、昨年10月に当社が開発した、結晶欠陥を大幅に削減したSiCエピウェハーです(注2)。昨年10月の上市以降、国内外のデバイスメーカーへのサンプル出荷に積極的に取組み、良好な評価を得ています。HGEでは、代表的な結晶欠陥である基底面転位(注3)を0.1個/cm2以下に抑えることにより、SiC-MOSFET(注4)の信頼性向上に寄与します。また、従来技術では生産困難と言われていたバイポーラデバイス向けの厚膜(注5)およびp型(注6)エピウェハーも、低欠陥化技術の確立によって量産可能となりました。当社が販売する厚膜HGEは、発電・送電系統向け超高耐圧デバイスであるSiC-IGBT(注7)開発に大きく貢献するものと期待されます。
    SiCパワー半導体は車載での早期実用化も検討されており、SiCエピウェハーの市場規模は、2025年に1,000億円規模に拡大すると予想されています。当社は今後も市場の高品質化要求に応え、省エネルギー化に貢献してまいります。

    以上