(株)レゾナック・ホールディングス【4004】の掲示板 2016/05/15〜2016/09/16

>>297

パワー半導体用SiCエピウェハー 高品質グレードの生産能力増強
－HGEを量産、フルSiCパワーモジュールの実用化に貢献－




昭和電工株式会社（社長：市川 秀夫）は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素（以下、SiC）エピタキシャルウェハー（以下、エピウェハー）の高品質グレード「ハイグレードエピ（以下、HGE）」において、月産3000枚（注1）の生産体制を確立し、量産を開始しました。
HGEは、昨年10月に当社が開発した、結晶欠陥を大幅に削減したSiCエピウェハーです（注2）。昨年10月の上市以降、国内外のデバイスメーカーへのサンプル出荷に積極的に取組み、良好な評価を得ています。HGEでは、代表的な結晶欠陥である基底面転位（注3）を0.1個/cm2以下に抑えることにより、SiC-MOSFET（注4）の信頼性向上に寄与します。また、従来技術では生産困難と言われていたバイポーラデバイス向けの厚膜（注5）およびp型（注6）エピウェハーも、低欠陥化技術の確立によって量産可能となりました。当社が販売する厚膜HGEは、発電・送電系統向け超高耐圧デバイスであるSiC-IGBT（注7）開発に大きく貢献するものと期待されます。
SiCパワー半導体は車載での早期実用化も検討されており、SiCエピウェハーの市場規模は、2025年に1,000億円規模に拡大すると予想されています。当社は今後も市場の高品質化要求に応え、省エネルギー化に貢献してまいります。

以上