ティアンドエス(株)【4055】の掲示板 2024/02/17〜2024/04/03

キオクシアがNANDフラッシュメモリーに続く事業の柱に育てようと、DRAMに近い動作速度を備える大容量の不揮発性メモリーの開発を加速させている。ストレージと主記憶の性能差を埋めるもので、ストレージクラスメモリー（SCM）と呼ばれる。MRAM（磁気抵抗メモリー）や強誘電体メモリー、ReRAM（抵抗変化型メモリー）などの中から候補の絞り込みを進めており、2～3年以内にもサンプル出荷が始まりそうだ。生成AI（人工知能）などの処理を担うデータセンター向けに、メモリー容量を拡張する新たなインターフェースが登場したことが後押しとなる。

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00001/09118/