(株)フィックスターズ【3687】の掲示板 〜2015/04/15

>>19701

まあ運良く何とかきましたね^ ^。
ここは化けると思うので長期現物です。
エムケイおめでとうございます。3907よりチャートもきれいでいいんじゃないですか^ ^、笑。

>>19699

goingさん♪ ポリスくん♪に入られたのですね♪
さすがですね^o^
ファンダ、テクニカルに見ても魅力ありますよね♪
鷹の目さん♪ も、推しメンされてますよ^o^

日本人のどれだけが英語読めると思ってるの？東大卒の方はその辺が配慮足りなさすぎ！いい材料なのにな！

>>19697

第一目標突破！こじ開けたんですね＼(^o^)／
あのトレードと投稿は凄いの一言ですよw
おめめ、おめめですね♩

ん〜フィッ君次第だが…ちょっと後退してしまったので私は…かなぁ。。。

やっと拿捕されてたエムケイに小銭、積込み始めたんでちょっと
トレードできるかもf^_^;)

>>19695

大丈夫。問題なし。

>>19698

お疲れさまでした。いつか専業になりたいです、笑。自信7割といったところでしょうか。でも勝ち続けないとですからね。
牡蠣強いですね^ ^。僕は見てはいたものの入れてないです。9467はインしてますよ^ ^。

>>19697

お疲れ様でした^o^
専業ですか、殿方は羨ましいです。。。
フィックくん♪ 今日は一休みでしたね^o^
今日は牡蠣を押し目で買い増ししましたよ♪

>>19691

ここにそうしてもらいましょう^ ^。
最近、専業でいけないかなって考えちゃいます。でも安定収入なくなると怖いですね、笑。数ヶ月休職してトレードしてその時のパフォーマンスが落ちないこと確かめたいです。第一の目標は突破したので、2020年までにこっから3倍目指します^ ^。

>>19687

お疲れ様です(^○^)
やっと仕事終わりました♩
ちょっと投稿削除してしまいましたm(_ _)m
そうですね上手くやれないからサラリーマンやってますよw

早くサラリーマン卒業したいですね♩
毎日、犬の散歩とトレードw

ゆっくりですねf^_^;)

心配せんでええ。売るなよ。

SSDへの暴走が怖い。ＩＲ出しても反応なし。三木氏の上場時１０００億円発言でもはや１０年先まで織り込んだ株価。４０００円は綾戻し。株に惚れたらあかんで。

>>19686

お疲れさまです^ ^。
情報ありがとうございます。勉強になります。
ってか、含み益半端なかったんですね、笑。利確は大事ですよー。うまくやれば既に億でしたね、笑。
今日は調整ですかね。まあのんびりいきましょう^ ^。

売れるで。心配いらん。

ＳＳＤ売れなければ悲劇的。

3700まで押したらまた上がるしかないんや。

そのため今回の2陣営の発表で、三次元NAND型フラッシュメモリは主要陣営の製品・方式が一応は出揃ったとみなしてよさそうです。

製品化では先行したサムスン電子の2シリーズは、しかしながら歩留まり向上が進まないことに苦しんでいると伝えられていて、発売時でも予告はされたものの実際にはなかなか製品が発売されず、発売後も価格が高止まり状態になっています。

そうした状況を踏まえると、今回の2陣営の製品も同様の轍を踏むことが危惧されるのですが、上にも記したとおり東芝・SanDisk陣営の製品はこれまでにないセル構造を採用して多層化に最適化した構成をとっており、48層というこれまでの1.5倍の層数を実現してきていることからも、歩留まり問題はサムスンほどひどくないことが期待できそうです。

また、Intel・Micron陣営は元々半導体製造プロセスのシュリンクでは世界の最先端を独走してきたIntelが主導する形となっていることや、同社が三次元半導体積層技術の研究でも同様に世界の最先端に位置してきたことから、また過去の実績から何の勝算もなしに競合他社の製品発表にぶつけるような形での製品発表に踏み切るとは考えにくいため、そこまで不安視することもなさそうです。

次世代不揮発メモリがさっぱり実用段階に到達しない昨今の情勢では、大容量化と信頼性確保を両立できると期待されるこの三次元NAND型フラッシュメモリは成功してくれないと困る技術の筆頭であると言えますが、果たしてその成否やいかに。

三陣営の三次元NAND型フラッシュメモリが出揃った

以上、東芝・SanDisk陣営およびIntel・Micron陣営が発表した三次元NAND型フラッシュについて見てきました。

先にも触れたとおり、三次元NAND型フラッシュメモリでは韓国のサムスン電子が2013年に先陣を切って24層積層でMLCタイプを、続けて2世代目で32層積層を実現しさらにTLCタイプとして容量を増大させた製品を発表しており、今回の2陣営の製品はそれに続くものです。

現在のNAND型フラッシュメモリメーカーはこれら3陣営に加え、韓国のSK ハイニックスが加わって4陣営が市場競争を繰り広げてきていて、実を言えば過去にはそのSK ハイニックスも三次元NAND型フラッシュメモリの試作品を発表したりしていました。

しかし、同社は東芝・SanDisk陣営から不正な手段でNAND型フラッシュメモリの研究開発内容を入手したことが発覚して東芝から訴訟を起こされ、2014年末になって2億7800億ドル（330億円）の賠償金を東芝に支払うことで和解しました。

この和解以降、SKハイニックスは東芝との提携関係を強化する方向で動いているので、今後同社は独自の三次元NAND型フラッシュメモリを開発するのかどうか怪しい状況となっています。

特に1TBクラス以上のSSDが一般化すれば、現状でシステムドライブにSSDを、データドライブにHDを、というハイローミックスが成り立っているパソコン向けストレージが一気に雪崩を打ってSSDのみ搭載へ移行することもありえるでしょう。

大容量モデルでも480GB～512GB品が一般的な現在でさえ、ノートパソコンを中心にSSDのみ搭載の機種が増えているのですから、それが1ドライブあたり1TBのラインを突破するとなるとどこまで普及が進むのか，正直予想もつきません。

先にも触れましたが、現在の二次元NAND型フラッシュメモリでは半導体製造プロセスのシュリンクが進めば進むほど、1セルあたりの書き換え可能回数が減少したり、読み書きの際のエラーレートが上がってしまったりするようになってきており、とりあえず衝撃を与えなければSSDなどとは比較にならないほどの長命（＝大きな書き換え可能回数）を期待できるHDDからこれに置き換えるのは、まだまだ勇気と覚悟のいる状況です。

>>19674

悪いことばかり考えとってよう株式の掲示板に顔だすもんやな。どの面下げて・・というやつや。

例え間に合わせであっても「こうかはばつぐんだ」
Intel・Micron陣営の三次元NAND型フラッシュ
アプリケーション（応用製品）の例としてM.2 SSD（チップ背後の基板）を示しており、基板サイズゆえに搭載できるチップパッケージ数が制限される＝1チップあたりの大容量化で優位に立てるこの種の製品への普及を期待していることが見て取れる。
もっとも、例えストップギャップ技術だと言っても、1チップで16GBあるいは32GBのMLC NAND型フラッシュメモリや48GBのTLC NAND型フラッシュメモリが成り立ってしまうのですから、筐体内容積の制約の厳しさから大容量ストレージを内蔵するのが難しいスマートフォンやタブレットなどではこれらの技術・製品は間違いなく福音となるでしょう。
また、Intel・Micron陣営の三次元NAND型フラッシュなら32チップで1TBのMLC SSDが構成できる勘定になります。現在の一般的なSATA接続タイプのSSDが16チャネル同時並列接続タイプのメモリコントローラを搭載している、つまり16個単位のNAND型フラッシュメモリチップを搭載する構造となっていることを勘案すると、480GB～512GB級SSDのさらなる低価格化や現在は価格的になかなか手を出しづらい960GB～1TB級SSDの一般化、あるいは基板サイズなどの物理的制約から大容量モデルの出しづらいM2接続タイプのSSDの容量増大など、この種の大容量三次元NAND型フラッシュメモリの本格普及は冗談抜きでパソコンやタブレット、スマートフォンなどの記憶媒体事情を激変させる可能性があります。