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三陣営の三次元NAND型フラッシュメモリが出揃った

以上、東芝・SanDisk陣営およびIntel・Micron陣営が発表した三次元NAND型フラッシュについて見てきました。

先にも触れたとおり、三次元NAND型フラッシュメモリでは韓国のサムスン電子が2013年に先陣を切って24層積層でMLCタイプを、続けて2世代目で32層積層を実現しさらにTLCタイプとして容量を増大させた製品を発表しており、今回の2陣営の製品はそれに続くものです。

現在のNAND型フラッシュメモリメーカーはこれら3陣営に加え、韓国のSK ハイニックスが加わって4陣営が市場競争を繰り広げてきていて、実を言えば過去にはそのSK ハイニックスも三次元NAND型フラッシュメモリの試作品を発表したりしていました。

しかし、同社は東芝・SanDisk陣営から不正な手段でNAND型フラッシュメモリの研究開発内容を入手したことが発覚して東芝から訴訟を起こされ、2014年末になって2億7800億ドル(330億円)の賠償金を東芝に支払うことで和解しました。

この和解以降、SKハイニックスは東芝との提携関係を強化する方向で動いているので、今後同社は独自の三次元NAND型フラッシュメモリを開発するのかどうか怪しい状況となっています。