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そのため今回の2陣営の発表で、三次元NAND型フラッシュメモリは主要陣営の製品・方式が一応は出揃ったとみなしてよさそうです。

製品化では先行したサムスン電子の2シリーズは、しかしながら歩留まり向上が進まないことに苦しんでいると伝えられていて、発売時でも予告はされたものの実際にはなかなか製品が発売されず、発売後も価格が高止まり状態になっています。

そうした状況を踏まえると、今回の2陣営の製品も同様の轍を踏むことが危惧されるのですが、上にも記したとおり東芝・SanDisk陣営の製品はこれまでにないセル構造を採用して多層化に最適化した構成をとっており、48層というこれまでの1.5倍の層数を実現してきていることからも、歩留まり問題はサムスンほどひどくないことが期待できそうです。

また、Intel・Micron陣営は元々半導体製造プロセスのシュリンクでは世界の最先端を独走してきたIntelが主導する形となっていることや、同社が三次元半導体積層技術の研究でも同様に世界の最先端に位置してきたことから、また過去の実績から何の勝算もなしに競合他社の製品発表にぶつけるような形での製品発表に踏み切るとは考えにくいため、そこまで不安視することもなさそうです。

次世代不揮発メモリがさっぱり実用段階に到達しない昨今の情勢では、大容量化と信頼性確保を両立できると期待されるこの三次元NAND型フラッシュメモリは成功してくれないと困る技術の筆頭であると言えますが、果たしてその成否やいかに。