(株)オキサイド【6521】の掲示板 2024/05/02〜

エピタキシャル成長（Epitaxial Growth）とは、単結晶基板の上に、基板と同じ結晶構造を持つ層を成長させる技術。この方法で成長させた層を「エピタキシャル層」や「エピ層」と呼びます。

半導体デバイスの製造においては、以下のような目的でエピタキシャル成長が用いられます：

1. 基板の結晶品質を向上させる。
2. 基板とは異なる不純物濃度や伝導型の層を形成する。
3. 多層構造を作製し、デバイスの性能を向上させる。

SiCウェハーの場合、エピタキシャル成長は主にCVD（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法で行われます。原料ガスを高温のSiCウェハー表面で反応させ、エピ層を成長させます。

エピ成長技術は、SiCデバイスの性能を左右する重要な要素の一つであり、ウェハーの品質評価においても欠かせない工程となっています。溶液法ウェハーがエピ成長に適していることが確認されれば、デバイス応用への道が大きく開けることになります。