掲示板「みんなの評価」
- 強く買いたい
- 買いたい
- 様子見
- 売りたい
- 強く売りたい
直近1週間でユーザーが掲示板投稿時に選択した感情の割合を表示しています。
掲示板のコメントはすべて投稿者の個人的な判断を表すものであり、
当社が投資の勧誘を目的としているものではありません。
-
148(最新)
投稿のレベル高くなりました。ワクワクですねえ。
-
146
オキサイド
三年前倒し
NEDO委員会
戦略が明確になった
経産省部会
国内の連携 再編を図り -
145
気づかれちゃったか🫣
-
144
纏めると
古川さん:溶液法を使う事で8inch ウェハーのコストダウンとスピード化を測ることが出来る事が出来たよーと言いました。
委員会さん:OK、進めてくれと言ってくれた。 -
142
エピタキシャル成長(Epitaxial Growth)とは、単結晶基板の上に、基板と同じ結晶構造を持つ層を成長させる技術。この方法で成長させた層を「エピタキシャル層」や「エピ層」と呼びます。
半導体デバイスの製造においては、以下のような目的でエピタキシャル成長が用いられます:
1. 基板の結晶品質を向上させる。
2. 基板とは異なる不純物濃度や伝導型の層を形成する。
3. 多層構造を作製し、デバイスの性能を向上させる。
SiCウェハーの場合、エピタキシャル成長は主にCVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)法で行われます。原料ガスを高温のSiCウェハー表面で反応させ、エピ層を成長させます。
エピ成長技術は、SiCデバイスの性能を左右する重要な要素の一つであり、ウェハーの品質評価においても欠かせない工程となっています。溶液法ウェハーがエピ成長に適していることが確認されれば、デバイス応用への道が大きく開けることになります。 -
141
それをプロセスインフォマティクス技術を用いて、溶液法で問題となる不純物の制御に成功したという事が報告されている
プロセスインフォマティクス:材料科学とインフォマティクス(情報科学)を融合させた新しい研究分野です。具体的には、計算機シミュレーションや機械学習、AIなどの手法を用いて、材料のプロセス条件と特性の関係を解明し、最適なプロセス設計を行うことを目指しています。
1. 溶液の流れや温度分布のシミュレーションを行い、結晶成長条件を最適化することで、8インチ×厚さ8mmのSiC結晶の作製に成功した。
2. インクルージョン(結晶内の不純物の混入)について、発生メカニズムのシミュレーション解析を行った。さらにそのデータをAIに引き継ぐことで、結晶成長パラメータの最適化が可能になった。
3. Cr汚染については、実際にエピタキシャル成長させて評価した結果、濃度が測定器の検出下限以下で、電気特性にも影響がないことを確認した。 -
140
昇華法によるSiCウェハーは、高品質ではあるものの、製造コストが高くなる傾向がある
1. 高温(2200〜2400℃)での結晶成長に必要なエネルギーコストが高い。
2. 結晶成長速度が遅いため、生産性が低い。
3. 大口径化が困難で、ウェハー1枚あたりのコストが高くなる。
溶液法は以下の点でコスト削減の可能性を持っています:
1. 比較的低温(1500〜2000℃)での結晶成長が可能で、エネルギーコストを抑えられる。
2. 結晶成長速度が速いため、生産性が高い。
3. 大口径化が容易で、ウェハー1枚あたりのコストを下げられる。
ただし、溶液法には技術的な課題がある -
139
グリーンイノベーション基金事業/次世代デジタルインフラの構築プロジェクト
2024年度 WG報告資料
2024年 4月24日 IoT推進部
研究開発項目2:次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発
取組状況
•大口径化・長尺化に取組み、溶液流れや溶液温度分布等をプロセスインフォマティクス技術を適用して最適化することで、直径8インチ×厚さ8mmのSiC結晶が得られた。(株式会社オキサイド)
•溶液法特有の課題であるインクルージョンについては、シミュレーションによる発生メカニズム解析を終え、AIにデータを引き継ぐことで結晶育成パラメータの最適化を行うことが可能となった。もう一つの溶液法特有の課題であるCr汚染については、実際にエピ成長させて評価した結果、濃度は測定器の検出下限以下で、かつCV特性にも影響がないことを実証。(株式会社オキサイド)
•大口径ウェハ用ラインの開発に向け、8インチSiCウェハの詳細な加工工程フロー(第1次案)を作成し、加工ラインに必要な各装置の仕様を決定。選定した装置が計画通り集約。(Mipox株式会社)
•デバイス(MOS-FET)評価を早期に実施するため、計画を当初から3年前倒し、2025年度中に溶液法ウェハ上にエピ膜およびMOSーFETを形成して特性評価し、昇華法と同等以上の成長膜およびデバイスが形成できることを確認するように研究実施計画を見直した。
NEDO委員からの助言
•溶液状態の制御を高度化することで8インチへと大口径化しても十分に成長技術としてポテンシャルがあることは実証できている。
•今回、最近の動向も反映され、SWOT分析、5F分析などが成され、戦略が明確になった。
•デバイスメーカーとの連携によって,先行して溶液法ウェハのクオリティの評価を始めている点はとても重要。思わぬ欠点がないのかどうか,慎重に点検をして頂きたく,面内型でよいのでトランジスタ特性までを早い段階で確認,比較を進めて頂きたい。
•溶液法の価値をより上げていくために、昇華法では達成できない品質スペックを標準化したり、環境価値などの新しい価値の軸を設定したりして、標準化に組み込むなども要検討。 -
138
いつか上がるかも知れないから含み損に耐えて保有してるけど、短期的には全く上がる気配は無いと感じてます。投機筋のパワープレイで定期的に下げる。
もちろん長期は超期待してます。 -
137
社長が座ってたら驚くやろうねw
-
136
計画3年前倒しやて
これ気付いた人買ってるね
てかなんでプレスリリース出さんのよ… -
134
ゴールデンクロス割安
-
133
みんかぶゴールデンキロス割安
-
132
見直し買い入って!
-
131
今日は少しだけ、大っきサイド勃ったね...
-
127
もう少し頑張って
-
126
先月24日の経産省のグリーンイノベーションプロジェクト部会の資料 次世代デジタルインフラのとこでオキサイドのこともでているのでよんでいたが
SiCは今後シェアを連携や再編して国内の競争力を高める方向のようですね
データセンターのこともふれてたけど 15日に経産省がエヌビディアを中心に…てニュースでとったけどそのへんもからんでくるんかな… -
124
動画見ました
展示会ビジネスが当たり前の米国で、小さなスペースではありますが社長自ら出向いていって、少し猫背ではありますがインタビュアーに来てもらって、なかなか頑張ってる感がありますよね
こうして将来の世界的な技術ドリブン企業がいくつも生まれ出たんでしょうねえ
頑張ってください! -
122
オキサイドはスゴイ先端技術の会社です!
忘れかけていましたが・・ -
121
堂々たる!勇姿!!
読み込みエラーが発生しました
再読み込み