(株)ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ【6525】の掲示板 2024/04/24〜2024/05/15

HBMに欠かせないTSVという技術

＝＝＝＝＝★超重要★＝＝＝＝＝

KOKUSAIの持つ、原子レベルの絶縁膜によるTSV化に依存する3D絶縁膜積層化技術
＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝

HBMで高い帯域幅を実現できる理由は、バス本数の多さにありました。

多くのバス本数を実現できる理由は、TSV（Through Silicon Via）という技術です。

TSV（Through Silicon Via）とは、英語で表現するとシリコンを通り抜ける、と直訳できます。

実際のTSV技術は、メモリの材料(母材)であるシリコンに小さな穴をあけて、その穴を電極で埋めて、高層ビルのように、電気配線を垂直方向につなげる技術です。

TSVを活用することで、横方向に電気配線を接続する「ワイヤーボンド接続」と比較して決められたメモリの面積内で、高さ方向が有効活用できるようになったため、より高密度な配線が可能になります。

さらに、上下層の間の配線距離が、ワイヤーボンド接続よりも非常に短くなるので、信号の伝播遅延も減少し、高い動作周波数が実現できるのです。

また、シリコンの3次元構造を生かして、メモリーの下にロジックICを形成して接続することもでき、ロジックICでメモリーの制御ができ、データ転送の効率化も可能になります。

異常の理由によりHBMに、TSVという技術は欠かせない重要なものなのです。