レーザーテック(株)【6920】の掲示板 2019/12/23〜2019/12/29

現在のASMLのEUV技術は、もう30年くらい前から、紫外線ステッパーの後継としてのNGL技術(新世代リソグラフィー)として学会、業界で開発が進められて来て、その頃はX線等倍転写、電子線筆書き直接描像、そしてNTTの人が初めて成功した軟X線の縮小反射光学系露光、などのどれが量産に成功するかわからない中で、光源、光学系、マスクなどの開発が進められて来ました。なお、EUVと言う名前は、科学研究費を貰うテーマ名として、X線等倍転写に対抗する名前として、新機軸を際立たせるために使用した様な記憶があります。
EUVは光源、マスク材、検査、反射縮小投影光学系、など非常に難しくて、実際半導体業界の人もASMLが装置を量産してそれを半導体量産に使用され始めた時に、まさか、と驚いたものです。勿論ニコン、キヤノンは脱落していきました。
そんな、難しい技術ですので、後発メーカーが追いつくのは難しく、また、ASMLとしても現在の錫プラズマからの13.5nmの波長より短くすると、新しい強い光源、高反射の反射コート蒸着膜の材質、高反射のマスク材など、開発項目が多すぎ、これ以上の短波長化は難しいのではないかと、シロートですが思っています。
勿論電子線の直接描像ではスループットが遅すぎて量産には向きません。