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(株)タムラ製作所【6768】の掲示板 2024/03/08〜2024/04/11
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>>282
カーボンニュートラル対応に電気電子機器の消費電力を最小化するため、パワー半導体の材料として既存のシリコンより（Si）も高効率な電源回路やモーター駆動回路を作ることができるシリコンカーバイド（SiC）や窒化ガリウム（GaN）の活用が広がりつつあります、ただしこれら次世代材料の利用が本格化した後にも、更に電力効率向上を求める声は挙がるでしょう。酸化ガリウム（Ga2O3）が他の次世代材料に置き換わるでしょう。
防衛関連の企業や機関が、Ga2O3の潜在能力を生かした応用を拓くという見方もあります。
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よくFLOSFIAと比べられるけど
日本国内では、α型を2011年創業の京都大学発ベンチャーであるFLOSFIAが、β型をタムラ製作所などが出資するノベルクリスタルテクノロジーが、基板とデバイスの作成技術を開発しています。パワー半導体材料としてのGa2O3には、結晶構造が異なる2つのタイプがあります。菱面体晶のα型と単斜晶のβ型です。このうち安定した結晶構造はβ型であり、α型は準安定相となります。Ga2O3には、これら2つのタイプ以外にも、γ型、δ型、ε型もあります。これらは現時点ではパワー半導体材料としての利用が想定されていません。