投稿一覧に戻る 東洋合成工業(株)【4970】の掲示板 2021/09/30〜2022/02/07 320 ryu***** 2021年11月6日 21:09 我们正在推动开发用于下一代半导体光刻的感光材料（电阻材料） 半导体（LSI、存储器）的加工尺寸从20nm到10nm，以提高性能。 目前，光曝光用于半导体光刻，而波长为193nm的ArF准分子激光器用于最先进的光刻。 为了进一步小型化，预计波长较短的13.5nm极端紫外光（EUV）光刻。 我们将致力于开发EUV感光材料（电阻）材料，预计在不久的将来将投入实际应用，为半导体行业的发展做出贡献。 そう思う6 そう思わない3 開く お気に入りユーザーに登録する 無視ユーザーに登録する 違反報告する 証券取引等監視委員会に情報提供する ツイート 投稿一覧に戻る
我们正在推动开发用于下一代半导体光刻的感光材料（电阻材料）
半导体（LSI、存储器）的加工尺寸从20nm到10nm，以提高性能。 目前，光曝光用于半导体光刻，而波长为193nm的ArF准分子激光器用于最先进的光刻。
为了进一步小型化，预计波长较短的13.5nm极端紫外光（EUV）光刻。
我们将致力于开发EUV感光材料（电阻）材料，预计在不久的将来将投入实际应用，为半导体行业的发展做出贡献。