フォームファクター【FORM】の掲示板

こっちの方が分かりやすいかしら？
大昔の解説ですが？

https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/kaigai/646660.html

HBMはThrough Silicon Via(TSV)技術によるダイスタッキングを前提としたメモリ規格だ。

Wide I/O2とHBMの比較
　TSV技術によってDRAMとGPUやCPU/SoCを直接続してしまうのが3Dダイレクトスタッキング。それに対して、シリコンインタポーザまたはTSVインタポーザを使って接続する方法が2.5Dスタッキングだ。3Dスタッキングでは、GPU/CPU/SoCのロジックチップ側にもTSVで穴を空ける必要がある。それに対して、2.5Dなら、ロジックチップ側にはTSVの穴を開けなくて済むため、CPUやGPUのメーカーが適用しやすい。


3Dと2.5Dのダイスタッキング技術
　シリコンインタポーザは、上の図のようにTSVによるViaが開けられ配線されたシリコンチップだ。インタポーザ上に、CPUやGPUなどのロジックチップとDRAMチップを載せる。どちらも、インタポーザとはマイクロバンプで接続する。DRAMをスタックする場合はTSVでスタックする。インタポーザ自体は通常のバンプでPCBに接続する。