投稿一覧に戻る エバースピン・テクノロジーズ【MRAM】の掲示板 101 hoh***** 2023年5月30日 19:41 「次世代」が外れた最新不揮発性メモリ「MRAM」の製品と技術 https://news.yahoo.co.jp/articles/c1c85a8a34cafe7570e717accc7d02292719b37e NANDフラッシュを除いた不揮発性メモリの研究開発では、「次世代不揮発性メモリ」と呼ばれる主に3種類のメモリ技術に比較的大きなリソースが割かれてきた。MRAM、相変化メモリ(PCM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)である。いずれもDRAMに伍する高い記憶密度と、NANDフラッシュメモリよりも短いランダムアクセス時間を原理的な特長とする。特にMRAMは2006年7月にFreescale Semiconductor(当時)が初めて量産を開始して以降、競合他社も相次いで製品を上梓してきた。MRAMはもはや、「次世代」(次に来るメモリ製品)とは呼びづらい。最新の不揮発性メモリ「製品技術」、と言えよう。 返信する そう思う2 そう思わない2 開く お気に入りユーザーに登録する 無視ユーザーに登録する 違反報告する 証券取引等監視委員会に情報提供する ツイート 投稿一覧に戻る
「次世代」が外れた最新不揮発性メモリ「MRAM」の製品と技術
https://news.yahoo.co.jp/articles/c1c85a8a34cafe7570e717accc7d02292719b37e
NANDフラッシュを除いた不揮発性メモリの研究開発では、「次世代不揮発性メモリ」と呼ばれる主に3種類のメモリ技術に比較的大きなリソースが割かれてきた。MRAM、相変化メモリ(PCM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)である。いずれもDRAMに伍する高い記憶密度と、NANDフラッシュメモリよりも短いランダムアクセス時間を原理的な特長とする。特にMRAMは2006年7月にFreescale Semiconductor(当時)が初めて量産を開始して以降、競合他社も相次いで製品を上梓してきた。MRAMはもはや、「次世代」(次に来るメモリ製品)とは呼びづらい。最新の不揮発性メモリ「製品技術」、と言えよう。