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ハイブリッドボンディング

現在はSiC基板向けが多いが、今後、デバイス向けの拡大となれば、研削厚みが3倍程度必要となり、グラインダ需要が大きく拡大、消耗品の研削砥石も急拡大が見込まれる。またHBMでは今後、マイクロバンプ方式からハイブリッドボンディングに変革が進む見通し。
ハイブリッドボンディングは、半導体パッケージング技術の一つで、2つ以上の半導体デバイスのメタルパッド をCuバンプなど介さずに直接接続するもの。具体的には精密な位置合わせ、表面処理と清浄度、プロセス制御と歩留まり、接合強度と信頼性、熱機械的応力管理、試験性と修理性などが要求される。
特にTTV（total thickness variation: ウエハ平坦度の評価項目の一つでウエハ裏面を基準面として厚み方向に測定した高さのウエハ全面における最大値と最小値の差）がデバイスの良品率で重要となるが、東京精密がディスコに対し優位性を持つ分野で有り、同社の高精度、高剛性のグラインダ、CMP装置の需要の拡大が見込まれる。同分野では既にサンプル、社内評価向けの受注を獲得、26年の本格量産に向け24年後半には大型受注獲得を見込んでいる。
さらに後工程で装置内に計測を組み込む計測ビルトインモデルの投入拡大も投入、製造装置、計測装置の両事業を有する唯一の半導体製造装置メーカーとして差別化し高付加価値化も期待される。