投稿一覧に戻る エバースピン・テクノロジーズ【MRAM】の掲示板 43 haz***** 2020年4月2日 20:27 Cobham Advanced Electronic Solutionsの新しいケーススタディがEverspinのトグルMRAMを宇宙アプリケーション向けの高信頼性メモリテクノロジーとして採用 EverspinのパートナーであるCobham Advanced Electronic Solutions（CAES）は最近、共同で開発された宇宙用トグルMRAMの汎用性とパフォーマンスを説明する技術的なケーススタディを発表しました。コブハムアドバンスドエレクトロニックソリューションズは、宇宙メモリ市場の世界的リーダーであり、エバースピンの世界クラスのテクノロジーに基づいて、生産グレードの宇宙認定の磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）を出荷し、宇宙産業に放射線耐性があり、信頼性の高い不揮発性を提供します。シングルイベントアップセット（SEU）、低電圧シングルイベントラッチアップ（SEL）、およびシングルイベントゲートラプチャー（SEGR）の影響を受けないメモリ。これらの製品はまた、無制限の耐久性と、-40°C〜+ 105°Cの温度範囲にわたって20年以上の保持を提供します。 返信する そう思う2 そう思わない2 開く お気に入りユーザーに登録する 無視ユーザーに登録する 違反報告する 証券取引等監視委員会に情報提供する ツイート 投稿一覧に戻る
Cobham Advanced Electronic Solutionsの新しいケーススタディがEverspinのトグルMRAMを宇宙アプリケーション向けの高信頼性メモリテクノロジーとして採用
EverspinのパートナーであるCobham Advanced Electronic Solutions（CAES）は最近、共同で開発された宇宙用トグルMRAMの汎用性とパフォーマンスを説明する技術的なケーススタディを発表しました。コブハムアドバンスドエレクトロニックソリューションズは、宇宙メモリ市場の世界的リーダーであり、エバースピンの世界クラスのテクノロジーに基づいて、生産グレードの宇宙認定の磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）を出荷し、宇宙産業に放射線耐性があり、信頼性の高い不揮発性を提供します。シングルイベントアップセット（SEU）、低電圧シングルイベントラッチアップ（SEL）、およびシングルイベントゲートラプチャー（SEGR）の影響を受けないメモリ。これらの製品はまた、無制限の耐久性と、-40°C〜+ 105°Cの温度範囲にわたって20年以上の保持を提供します。