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6871.日本マイクロニクス(中長期ホルダー専用) 【売り煽り他入室不許可】の掲示板
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>>17679
続きです。
「また、面状光導波路20の端部に設ける半導体層30を、例えば、第1の金属電極と、絶縁性物質で覆われたn型金属酸化物半導体を光励起構造変化させることによりバンドギャップ中にエネルギー準位を形成して電子を捕獲する充電層と、p型金属酸化物半導体層と、第2の金属電極とを積層して構成され、前記第1の金属電極と前記第2の金属電極のいずれか一方が、酸化防止機能を有する金属電極である蓄電機能構造で置き換えてもよい。当該構造においては、半導体バンドギャップを光の進行方向に沿って減少させるのは、この光電変換装置と同様である。単一バンドギャップの材料のみを用いた上記蓄電機能構造と上記半導体層30とを支持基板40上に集積して、昼間発電した電力を夜間に利用するタイムシフト機能付き光電変換システムとすることもできる。上記蓄電機能構造の配置は、面状光導波路20と半導体層30との結合構造体の周辺部分(ペリフェリ部分)に設けるのが好ましいが、面状光導波路20の支持基板40の下部に設けることも可能である。」 -
>>17679
半導体二次電池とは下記の事ではないですか?
http://www.astf.or.jp/cluster/event/semicon/20110707/2-7.pdf
シロアリ 2015年11月12日 20:04
量子電池とは直接関連があるものではありませんが、興味深い特許が本日公開されました。
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】特開2015-201563(P2015-201563A)
(43)【公開日】平成27年11月12日(2015.11.12)
(54)【発明の名称】光電変換装置、建築物および電子機器
(21)【出願番号】特願2014-80088(P2014-80088)
(22)【出願日】平成26年4月9日(2014.4.9)
(71)【出願人】
【識別番号】509183729
【氏名又は名称】石橋 晃
【住所又は居所】北海道札幌市東区北16条東1丁目2-15-506
(71)【出願人】
【識別番号】507139133
【氏名又は名称】シーズテック株式会社
【住所又は居所】北海道札幌市北区北八条西六丁目2番20
(72)【発明者】
【氏名】石橋 晃
【住所又は居所】北海道札幌市東区北16条東1丁目2-15-506
(72)【発明者】
【氏名】小林 光
【住所又は居所】京都府京都市東山区本町9丁目106番地
この出願は太陽光発電に関する光電変換装置についてのものですが、下記の通り、量子電池に関連する記載があります。
「また、無機半導体膜で充電層を構成した、高エネルギー密度性を特徴とする半導体二次電池の研究開発も進展しつつあり、その親和性を以て、同じく半導体により構成される太陽光発電素子との結合も視野に入ってきた(特許文献6参照。)。」
特許文献6:グエラ・マイクロ共同出願の「繰り返し充放電できる量子電池」