キヤノン(株)【7751】の掲示板 2024/03/21〜2024/04/24

>>714

私の投稿にエビデンスを加えておこう

--------------------（2024.04.12日経XTechより引用）--------------------

5nm世代や3nm世代といった最先端の工場で使われているのはEUV露光装置やArF液浸露光装置ばかりではない。半導体の前工程（ウエハー工程）には数十もの露光工程が必要で、プロセスコストが高いEUV露光やArF液浸露光を使うのはクリティカルレイヤーと呼ばれる加工寸法が最小またはそれに近い層に限られる。キヤノン光学機器事業本部副事業本部長の岩本和徳氏（半導体機器事業部長）は「例えば50層を露光する最先端半導体では、EUV露光を使うのは2～3層、ArF液浸露光を使うのは最大10層ほどだろう」と話す。

　加工寸法が比較的大きい層には、ArFドライ露光装置、KrF露光装置（波長248nm）、i線露光装置（同365nm）などが使われる。価格はArFドライ露光装置が20億～30億円、KrF露光装置が10億～20億円、i線露光装置が5億～10億円ほどとされる。

　そしてキヤノンは「i線露光装置で8割ほど、KrF露光装置で3割弱の台数シェアを持つ」（岩本氏）。すなわちTSMCやSamsungなどの最先端工場には、キヤノンのi線露光装置やKrF露光装置が多数導入されている。微細化で最先端を走るEUV露光装置に注目が集まりがちだが、「i線露光装置やKrF露光装置を抜きに最先端半導体は製造できない」（同氏）

--------------------（引用終わり）--------------------