投稿一覧に戻る エバースピン・テクノロジーズ【MRAM】の掲示板 36 haz***** 2019年10月29日 22:10 GF、組み込み向けフラッシュメモリを置き換えるSTT-MRAMの生産を開始 GLOBALFOUNDRIESは29日(現地時間)、22nm FD-SOI (22FDX)の組み込みMRAM不揮発性メモリを発表、すでに複数のIoTクライアントのパイロット生産に入っていると公表した。 Everspin Technologiesとのパートナーシップで開発されたSTT-MRAM(スピン注入型磁気抵抗メモリ)で、IoTや汎用マイクロコントローラ、自動車、エッジAIなど、低電力動作と高速かつ堅牢な不揮発性データストレージが必要とされるアプリケーション向けとしている。 返信する そう思う1 そう思わない1 開く お気に入りユーザーに登録する 無視ユーザーに登録する 違反報告する 証券取引等監視委員会に情報提供する ツイート 投稿一覧に戻る
GF、組み込み向けフラッシュメモリを置き換えるSTT-MRAMの生産を開始
GLOBALFOUNDRIESは29日(現地時間)、22nm FD-SOI (22FDX)の組み込みMRAM不揮発性メモリを発表、すでに複数のIoTクライアントのパイロット生産に入っていると公表した。
Everspin Technologiesとのパートナーシップで開発されたSTT-MRAM(スピン注入型磁気抵抗メモリ)で、IoTや汎用マイクロコントローラ、自動車、エッジAIなど、低電力動作と高速かつ堅牢な不揮発性データストレージが必要とされるアプリケーション向けとしている。