(株)日本マイクロニクス【6871】の掲示板 〜2015/04/27

>>215607

＞絶縁性物質で覆われたｎ型金属酸化物半導体を光励起構造変化させることによりバンドギャップ中にエネルギー準位を形成して電子を捕獲する充電層１４と、

この部分が量子電池の核ですが、

＞酸化防止機能を有する第２の金属電極１８とを積層して構成され、電極に酸化防止機能を備えている。

この出願においてはこの酸化防止がこの出願の主旨とも取れる様な、他に先に出願された、バンドギャップ中にエネルギー準位を形成云々の特許があるのではないかと考えてしまう文章です、この特許でバンドギャップ中にエネルギー準位を形成云々が初出ならスゴイですね。
口を開けて待つのを３００円から２０００円に引き上げようかな・・・・