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ここは 裏付けされた 話が 少ない 言いぱなし 無責任言動 意味ないじゃん 世界初、垂直ブリッジマン法による6インチβ型酸化ガリウム単結晶の作製に成功 今回開発を進めているVB法の概要を図1(b)に示します。VB法は、原料を格納した坩堝(るつぼ)を温度勾配のある炉内に格納し、原料を溶融させた後に坩堝を引き下げて凝固させる育成方法です。よって、坩堝と同じ形の結晶が得られるため、円筒形の坩堝を使えば円筒形の結晶が得られ、基板化加工の際の不要部分が大幅に少なく、低コスト化が可能となります。さらに、引き上げ法による育成と異なり、坩堝内の融液を凝固させる育成法であるため、結晶の異方性に起因する成長面の制約を受けにくく、さまざまな基板の面方位を作製可能であり、EFG法の課題を解決できると期待されます。それに加え、引き上げ法と比較して温度勾配が小さい環境での育成が可能であるため、結晶の高品質化が可能であることや、結晶成長方向に対して垂直に基板を取得できるためにドーパント濃度の面内均一性の向上が期待できるといった特長もあります。 「X線トポグラフィー法」という結晶欠陥評価手法を用い、VB法とEFG法を用いて育成した単結晶基板の品質を、産業技術総合研究所で評価した。この結果、EFG法で作製した基板には、直線状欠陥が高密度に発生していた。これに対しVB法で作製した基板には、直線状欠陥がほぼ発生していないことを確認した。 無知な空売り機関投資家諸君は 多分理解出来ない
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ここは10%位垂直落下するような空売り爆弾が投下されることがよくあるので 寄りで高値追いするとヒドイ目に遭うことがあるよ。気を付けてね。
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核融合炉向け追加12基受注、三菱重工「外側垂直ターゲット」の機能 配信 2024年5月24日 06:00更新 2024年5月24日 09:36 ニュースイッチ(日刊工業新聞) シェアする 三菱重工業は南フランスで建設中の核融合実験炉「ITER(イーター)」向けに、重要部品である「ダイバーター」の構成要素である外側垂直ターゲット12基の製作を量子科学技術研究開発機構(QST)から追加受注した。順次製作を完了し、2026年からQSTに納入する予定。 21年に受注済みの6基に続いて新たに12基を受注したことで、全54基のうちQSTが発注済みの18基の製作を三菱重工が担う。同社は今後もダイバーターなど主要機器製作に取り組む方針。 ダイバーターはトカマク型装置を採用する核融合炉の最重要機器の一つ。プラズマを安定的に閉じ込めるため、核融合反応で生成される炉心プラズマ中のヘリウムなど燃え残った燃料や不純物を排出する役割を担う。 ダイバーターの熱負荷は1平方メートル当たり最大20メガワット(メガは100万)で、小惑星探査機が大気圏突入の際に受ける表面熱負荷に匹敵し、スペースシャトルが受ける表面熱負荷の約30倍に相当する。 構造上プラズマに直面する外側垂直ターゲットは、プラズマからの熱負荷や粒子負荷などにさらされる厳しい環境で使われる。そのため構造体は複雑な形状を持ち、高精度の製作・加工技術が要求される。
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ギンギン垂直反りたちはもうありませんかね。初老ですかね。
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韓国では、このライターの記事に否定の記事も出ていますが... サムスン電子「HBM供給テスト順調に進行中」 ーーーーーーウェブ翻訳 サムスン電子「HBM供給テスト順調に進行中」 入力2024.05.24。午前9時26分 修正2024.05.24。午前9時33分 記事の原文 ジェンソンファンNVIDIA最高経営者(CEO)がサムスン電子の第5世代高帯域幅メモリ(HBM)12段製品に「承認」というサインを残した。 オリジナルを見る ジェンセンファン・エンビディア最高経営者( CEO )がサムスン電子の第5世代高帯域幅メモリ( HBM ) 12段製品に'承認( approved )'というサインを残した。 [ソウル経済] サムスン電子(005930)は24日、先端高帯域幅メモリ(HBM)が米国半導体メーカーのNVIDIA配達のためのテストに合格しなかったという報道について「多様なグローバルパートナーとHBM供給のためのテストを順調に進行中」とし「特定時点でのテスト関連報道はイメージと信頼度を損なうことになる」と明らかにした。 ロイター通信はこの日、複数の消息筋を匿名引用し、サムスン電子の第5世代HBMであるHBM3E 8段・12段製品が先月NVIDIAの納品テストに合格しなかったと報道した。同メディアは「消息筋は発熱および電力消費問題が問題になったと述べた」と述べた。サムスン電子は、具体的な言及を避けながらも、HBMには顧客会社のニーズに合った最適化過程が必要であり、顧客会社と緊密に協力していると明らかにしたとロイターは付け加えた。NVIDIAはロイターの報道に入場を拒否した。 サムスン電子は「現在、多数の企業と緊密にコラボレーションし、継続的に技術と性能テストを行っている」とし「すべての製品に対して継続的な品質改善と信頼性強化に努めており、これにより最良のソリューションを提供する予定」と述べた。HBMはDRAMを垂直に接続してデータをはるかに 早く処理できるようにした半導体で人工知能(AI )半導体の核心部品に挙げられる。足場としようとしていた8段に積み重ねられた第5世代HBMなど、最新製品のクアルパス作業が遅れ、難航している。
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ロームはSIC半導体で世界シェアNo1を目指して着々と設備投資を充実させていますよ。 今年中に、九州宮崎に手当てした大規模工場(熊本のTSMC工場の約2倍の規模)で国内では初のSICウエハーの生産が始まる予定です。 パワー半導体に関連する企業(トヨタ、デンソーなども)は、みなこのSICウエハーの安定供給に躍起になってます。 ロームは国内でウエハーの生産、そしてチップの製造・パッケージングまでワンストップで量産できるようになります。ロームはこの、ワンストップ(垂直統合型生産体制)が売りのようです。これにより製品の欠陥・トラブルに対しスムーズに国内対応できます。 競合他社には首一つ抜け出ていますよ。 投資家に対するアナウンスが若干へたかもしれませんがね。
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ボリバン2σから日足がハガレないと 垂直に落ちとるから月曜ヨコヨコしないと
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底打ったと見せかけての垂直落下⚡🧟♀️🧟⚡
世界最先端の半導体メーカー3社…
2024/05/24 21:28
世界最先端の半導体メーカー3社が微細化の限界を打破するため、半導体チップを垂直に積み上げて集積化を進める三次元実装(パッケージング)へ一斉に乗り出している。台湾TSMCはすでに茨城県つくば市に3DIC(三次元集積回路)研究開発センタ―を設置し、その技術成果は、台湾の先進後工程工場に移転している。韓国サムスン電子も神奈川県横浜市みなとみらい地区に「アドバンスド・パッケージ・ラボ」を年内に設置する。 残る米インテルも昨年来、日本の自動搬送装置メーカーなどに声をかけて、全自動パッケージング試作ラインを構築する準備を進めてきた。そして、インテルを中心に半導体製造装置や自動搬送装置メーカー、標準化団体など15の企業・団体が4月16日付で「半導体後工程自動化・標準化技術研究組合(SATAS)を東京都千代田区に設立。2028年の実用化を目指し、半導体後工程の自動化や標準化に取り組む。 SATASは、理事長をインテル日本法人の鈴木国正社長が務めるが、インテルからプレスリリースでの発表はない。インテル独自の研究施設ではなく、補助金の受け皿としての経済産業省所管の技術研究組合組織(CIP)になっている。経産省は、日本の装置・材料メーカーを支援する姿勢を強調したいのだろう。 オムロンやダイフクなどが加わる組合員15社の中に、意外な2社が含まれている。一つは半導体業界になじみのない三菱総合研究所で、理事を送り込み事務局を担当するが、研究は分担していない。もう一つは、先進半導体とは無縁のシャープで、パイロットライン構築を担当する。同社の液晶パネル事業は赤字続きで、亀山工場(三重県)などのクリーンルームを他社に貸し出す検討をしていたので渡りに船だろう。近く操業中止する堺工場(大阪府)を半導体後工程工場に転用するうわさもある。 インテルは、3DICに従来のシリコン基板や有機樹脂基板に替えて安価なガラス基板を採用することを検討しており、そうなるとシャープの液晶パネル用ガラス基板の技術が役立ちそうである。(yニュース)