prismhit～～～明日から令和ですね。の掲示板

>>6775

2ナノ世代の半導体を製造する技術的ハードルが新たな素子構造だ。回路の微細化で、一種の漏電（リーク電流）を抑えにくくなった。水（電気）が流れるホースで例えると、3方向から押さえ水を止めていた現在の構造から、全方向から押さえ込む「GAA（ゲートオールアラウンド）」という新構造への切り替えが必要になった。

微細化や複雑化によって、半導体の製造工程は伸び続けている。新たな構造の素子をどれだけ短期間で作れるかが2ナノ世代の製造立ち上げを掲げるラピダスの課題だ。基礎的な研究開発だけでなく、素材、装置など要素技術の協調が欠かせない領域となる。