(株)タカトリ【6338】の掲示板 2024/04/10〜

タカトリ終わった。
カブラには勝てん。あっちは一台数億。

5600円、もう助かる気がしない

久しぶりにミンカブの買い予想上位だから、買ってみるかな🤔

>>888

ありがとうございます。タカトリの生きる道はあるんですかね？

度重なる受注で将来への期待は十分わかったけど
もうそれを株主に還元し始めないといけない時期
配当利回り１％はいかん

SICワイヤーソーのマーケットはSIと比べ、ニッチ市場（比較的規模の小さい市場）にリスクを取ってSiC（地球上で3番目に硬い化合物）を切断しようと考える企業がいなかった。マーケットが大きくなれば参入する企業があるかもしれない。

今のところディスコのレーザーソーKABRAに対抗でき企業はない。レーザーと言うから高出力で金属を切断する。低出力で表面処理加工するその程度の認識かなかった。

ディスコが開発したプロセスはインゴットの上面からレーザーを連続的に垂直照射することで，光吸収する分離層（以下KABRA層）を任意の深さへ扁平状に形成させ，このKABRA層を起点に剥離・ウェーハ化するという従来にないスライス加工方法。内部の原子構造を壊し、かさぶたを取るような方法でウエハーを取り出す。このような方法があるとは知らなかった。だからぺらぺらなウエハーができる。

>>885

質問①SICワイヤーソーではシェア１位かもしれませんが、レーザーソーでのスライスはできるんですよね？いざ設備投資となればどちらが有利なんでしょうか？

質問②SICワイヤーソーを検索したら他社もそこそこでてきます。圧倒的シェアを守れる根拠はなぜなんでしょうか？

2020年のSiウエハの世界シェアは、日本の信越化学工業が１位で31.0％、SUMCOが２位で23.8％、Si半導体を作る素材、Siウエハを作るメーカーは日本に存在するが、SiC半導体を作るためのSiC結晶からSiCバルクウエハーを作る世界的なメーカーが日本にはない。

SiCウエハーのトップメーカーは米Wolfspeed（ウルフスピード）社（4割から5割）、2位が米Coherent（コヒーレント、旧Ⅱ-Ⅵ）社（15％）、日本のローム傘下にあるドイツSiCrystal（サイクリスタル）社が僅差で3位に付ける。中国でも近年SiCウエハー製造への投資が活発で、2024年には数年前はわずか5％だった中国企業の生産能力世界シェアが2024年に50％に達すると台湾メディアが報道。


日本にSiCバルクウエハーを作る世界的なメーカーがいないのなら先行している海外で販売すればよい。幸いなことに、鬼（ディスコ）の居ぬ間にSiC向けのワイヤーソーでは、世界シェア90%以上と圧倒的なシェアをとれた。第二弾として米国の大手ウエハーメーカーと共同開発したウエハーを研削、ラッピング（研磨）、ポリッシング（鏡面研磨）する表面の処理するSiC半導体ウエハー加工装置（1台1億円）の大口受注に期待。

SiCの硬度はのSi（シリコン）の約４倍と硬く、ダイヤモンド、炭化ホウ素に次いで地球上で3番目に硬い化合物。これを切断、研削、研磨、ポリッシング（鏡面研磨）する表面の処理す加工技術はSiの比ではなく高度な加工技術が要求されると思う

なんだかなぁ⁈
3億5千万⤵︎

>>878

7位は酷すぎ

タカトリの株価をおさえる空売り機関投資家たち
kabu365.net　　　空売り残高情報
https://kabu365.net/karauri/?code=6338

5/31　　空売割合　　　　13.58％
GOLDMAN SACHS INTERNATIONAL　4.7%　　258,603株
モルガン・スタンレーMUFG証券株式会社　　3.67%　201,789株

どんなに好決算を出しても株価は反応せず、空売り機関投資家にやられてしまう。困ったものだ。SiC材料切断加工装置の大口受注で株価がかけ上げ、9760円を付けた時のような再現を期待している。ウエハーを研削、ラッピング（研磨）、ポリッシング（鏡面研磨）する表面の処理するSiC半導体ウエハー加工装置まで出している。

SiC材料切断加工装置、SiC半導体ウエハー加工装置の合わせ技で空売り機関投資家から合わせ技で一本取りたい。

TOWA <6315>
売上高　504億円　　 修正1株益　257.7円

TOWA は空売り機関投資家にめけず、空売り機関投資家をなぎ倒し2500円台から
14010円までつけた。タカトリは発行済株式数　549万株ほどの会社。SiC材料切断加工装置、SiC半導体ウエハー加工装置の大口受注でTOWA の再現をはたしましょう。

空売り比率ランキング
７位
１３．５８０
３社がうっているモルガン・XTX・XTX・バークレイ
自社株買いを

>>870

ネームを変えて、ネガキャン継続ですか？

うーん。ダメか！

「グリーンイノベーション基金」
カーボンニュートラル実現に向けた国の取り組みの中で主要な役割を果たすのが、ＮＥＤＯに創設された総額2兆円※（2021年3月時点）の「グリーンイノベーション基金」です。 研究開発・実証から社会実装までを見据え、官民で野心的かつ具体的な目標を共有し、企業等の取り組みに対して最長10年間の継続的な支援を行っていきます。助成金によってさまざまな研究開発が行われいる。
https://www.nedo.go.jp/content/100942452.pdf

次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発
事業の目的・概要
2030年までに、8インチ（200mm）SiCウェハにおける欠陥密度１桁以上の削減およびコスト低減。
① 超高品質・8インチ・低コストSiCウェハ開発
② 高品質8インチSiC単結晶／ウェハの製造技術開発
③ 次世代グリーンパワー半導体に用いるSiCウェハ技術開発

超高品質、低コストSiCウェハ開発を開発するために従来の昇華法によるSiC結晶でなく名古屋大学が開発した溶液成長法によって、高品質のSiCの結晶を作る技術が研究中。

6521 オキサイド
https://green-innovation.nedo.go.jp/pdf/building-next-generation-digital-infrastructure/item-002/vision-opt-oxide-002.pdf

溶液成長法
SiとCを溶解させて種結晶から成長させる
熱歪みが小さいため大口径化が容易、結晶の低欠陥密度を達成などの利点がある

だから上がった以上に数日で下がるぜ！やっととか、今だとか…もう1年半言われてるぜ〜デイトレ最高
とりあえず半年は、ジリジリ⤵

炭化けい素(SiC)の硬さは新モース硬度で表すと13で、ダイヤモンド（新モース硬度15）、炭化ホウ素（新モース硬度14）に次いで地球上で3番目に硬い化合物。SiCの硬度はのSi（シリコン）の約４倍と硬く、インゴッドの切断、ウエハー研磨なの仕上げ加工が極めて難しい。

研削から研磨まで１台で…SiC・GaNで使える半導体ウエハー加工装置、タカトリが開発　　　　　　　　　　　　　2023年11月29日　　テクノロジー
https://newswitch.jp/p/39456

タカトリは半導体材料であるウエハーの研削から研磨までを行える装置「グラッピングＳｉＣ」を開発。スライス後の荒れた表面の処理として、研削、ラッピング（研磨）、ポリッシング（鏡面研磨）の３工程を１台で行える。最大８インチのウエハーの処理が可能。工程間の自動化による生産性向上につながる。欧米や中国など海外の半導体ウエハーメーカーに採用を提案する。

パワー半導体の材料として注目される炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化ガリウムなどで使える。価格は約１億円を見込む。初年度３０台
２０２６年には年間２００台の販売を目指す。

これでSiCインゴットの精密切断（スライス）するSiC材料切断加工装置、スライスしたウエハーを研削、ラッピング（研磨）、ポリッシング（鏡面研磨）する表面の処理する高速、高精度研削できるSiC半導体ウエハー加工装置が出そろった。

SiC材料切断加工装置だけでなくSiC半導体ウエハー加工装置の大量受注を期待したい。

後場何かあったのか？
あってもなくても　
上伸を望む。

この時期の受注で今期の売上ということは、今期の数字がまだ未達ということかな
既に今期の見通し達成見込みだったら、来期に計上したいはずだもんね
中国は12月決算だから9月でも10月でもどっちでもいいし、ムリムリ今期に押し込んだって感じ？

>>855

切断加工機って書いているのに。