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カレー事件は、スプリング8の分析で、ヒ素の不純物の痕跡が、犯人宅の物と同じと同定されたので、覆らないでしょう。 前日に、味噌タンクに投入したのとは違う。
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そんな二人がサリーさんのCaféスレに常駐するようになった。 のらは静かに見守る事にした。 不純物ののらはCaféスレには必要ない。そう考えCaféスレへの出入りを遠慮した。
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吉田とかいう不純物はいらんやろ。 僕とロココちゃんとppちゃんの三角関係やろ(´・ω・`)
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核融合炉向け追加12基受注、三菱重工「外側垂直ターゲット」の機能 配信 2024年5月24日 06:00更新 2024年5月24日 09:36 ニュースイッチ(日刊工業新聞) シェアする 三菱重工業は南フランスで建設中の核融合実験炉「ITER(イーター)」向けに、重要部品である「ダイバーター」の構成要素である外側垂直ターゲット12基の製作を量子科学技術研究開発機構(QST)から追加受注した。順次製作を完了し、2026年からQSTに納入する予定。 21年に受注済みの6基に続いて新たに12基を受注したことで、全54基のうちQSTが発注済みの18基の製作を三菱重工が担う。同社は今後もダイバーターなど主要機器製作に取り組む方針。 ダイバーターはトカマク型装置を採用する核融合炉の最重要機器の一つ。プラズマを安定的に閉じ込めるため、核融合反応で生成される炉心プラズマ中のヘリウムなど燃え残った燃料や不純物を排出する役割を担う。 ダイバーターの熱負荷は1平方メートル当たり最大20メガワット(メガは100万)で、小惑星探査機が大気圏突入の際に受ける表面熱負荷に匹敵し、スペースシャトルが受ける表面熱負荷の約30倍に相当する。 構造上プラズマに直面する外側垂直ターゲットは、プラズマからの熱負荷や粒子負荷などにさらされる厳しい環境で使われる。そのため構造体は複雑な形状を持ち、高精度の製作・加工技術が要求される。
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使えるわけ無いでしょ、不純物の塊よww 真水ですらそのままでは使えない世界。
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南フランス・核融合実験炉イーター向けダイバータ外側垂直ターゲット12基を追加受注 ◆ 現在製作中の6基に続いて新たに12基を受注、ダイバータ全54基のうち18基の製作を担う ◆ イーター向け主要機器の製作・納入を通じて、核融合開発の着実な推進に貢献 三菱重工業はこのほど、南フランスで建設中の核融合実験炉イーター(以下、ITER)(注1、2)に用いられる、ダイバータの重要な構成要素である「外側垂直ターゲット」12基の製作を、国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構(量研)から新たに受注しました。これまで培った高難度製作物の量産化技術が評価されたもので、2021年に受注した初回製作分6基(初号機~6号機)(注3)に続き、12基(7号機~18号機)を追加受注したことにより、全54基のうち量研発注済の18基全ての製作を当社が担います。今回受注した12基は順次製作を完了し、2026年から量研に納品する予定です。 ダイバータは、トカマク型装置を採用する核融合炉における最重要機器の1つであり、プラズマを安定的に閉じ込めるために、核融合反応で生成される炉心プラズマ中のヘリウム(He)などの燃え残った燃料や不純物を排出する役割を担います。 ダイバータの熱負荷は、最大で20MW/m²に達します。これは、小惑星探査機が大気圏突入の際に受ける表面熱負荷に匹敵し、スペースシャトルが受ける表面熱負荷の約30倍に当たります。構造上プラズマに直面する外側垂直ターゲットは、プラズマからの熱負荷や粒子負荷などに晒される厳しい環境で使用されることから、その構造体は非常に複雑な形状を有しており、高精度の製作・加工技術が要求されます。 三菱重工は、ITER向けの主要機器であるトロイダル磁場コイル(TFコイル)について、全19基中5基の製作を受注し、2023年までに全基を出荷済み(注4)です。今後、ダイバータや水平ランチャー(注5)といった主要機器製作にも継続して取り組んでいきます。また、ITER計画に続いて建設が計画されている核融合原型炉についても、設計および開発を積極的に支援することで核融合エネルギーの実現に貢献していきます。
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>リバランスとか眼中にないのでしょうか? 眼中にないと思いますよ。3年前の私も考えてませんでした。 債券は投資効率が悪くなるし、オルカンも不純物が混じってる。 余剰資金をなるべく早く米株インデックスに入れるのが最適解だ! っていう理屈もわかりますけど、最近では最大ドローダウンが少なくて 順調に増えていってくれたらそれでいいと考えるようになりました。
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エピタキシャル成長(Epitaxial Growth)とは、単結晶基板の上に、基板と同じ結晶構造を持つ層を成長させる技術。この方法で成長させた層を「エピタキシャル層」や「エピ層」と呼びます。 半導体デバイスの製造においては、以下のような目的でエピタキシャル成長が用いられます: 1. 基板の結晶品質を向上させる。 2. 基板とは異なる不純物濃度や伝導型の層を形成する。 3. 多層構造を作製し、デバイスの性能を向上させる。 SiCウェハーの場合、エピタキシャル成長は主にCVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)法で行われます。原料ガスを高温のSiCウェハー表面で反応させ、エピ層を成長させます。 エピ成長技術は、SiCデバイスの性能を左右する重要な要素の一つであり、ウェハーの品質評価においても欠かせない工程となっています。溶液法ウェハーがエピ成長に適していることが確認されれば、デバイス応用への道が大きく開けることになります。
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それをプロセスインフォマティクス技術を用いて、溶液法で問題となる不純物の制御に成功したという事が報告されている プロセスインフォマティクス:材料科学とインフォマティクス(情報科学)を融合させた新しい研究分野です。具体的には、計算機シミュレーションや機械学習、AIなどの手法を用いて、材料のプロセス条件と特性の関係を解明し、最適なプロセス設計を行うことを目指しています。 1. 溶液の流れや温度分布のシミュレーションを行い、結晶成長条件を最適化することで、8インチ×厚さ8mmのSiC結晶の作製に成功した。 2. インクルージョン(結晶内の不純物の混入)について、発生メカニズムのシミュレーション解析を行った。さらにそのデータをAIに引き継ぐことで、結晶成長パラメータの最適化が可能になった。 3. Cr汚染については、実際にエピタキシャル成長させて評価した結果、濃度が測定器の検出下限以下で、電気特性にも影響がないことを確認した。
勇み足のセルインJUNE金の始…
2024/05/30 19:42
勇み足のセルインJUNE金の始まりかねぇ〜?えぇ〜? ほんまだめファンドつこーてもうたわ〜。 株と一緒に下げるとかなんやねん!防御力0やな!! 身内のここの銀行マソに文句ゆーてやったわー! したら、 「あんたみたいな不純物がおると下げるから、はよ売れ」 確かにピュアゴールドやったな・・ なんでやねん!!!ぼけコラぁ〜たこコラぁ〜! まあ結局ちゃんと勉強してちゃんと生きてきた奴がちゃんと報われるようになっとるんよね人生わ。 年金も満額、貯金も資産もあって。子供おって未来もあって・・ ワイは身内のなかのゴ○。くそぉー! ピュアゴールド、ワイが保持し続けてインピュア、や、ダーティーゴールドにしてやらぁ〜!ぬおぉぉぉー!