(株)オキサイド【6521】の掲示板 2024/05/02〜

昇華法によるSiCウェハーは、高品質ではあるものの、製造コストが高くなる傾向がある

1. 高温（2200〜2400℃）での結晶成長に必要なエネルギーコストが高い。
2. 結晶成長速度が遅いため、生産性が低い。
3. 大口径化が困難で、ウェハー1枚あたりのコストが高くなる。

溶液法は以下の点でコスト削減の可能性を持っています：

1. 比較的低温（1500〜2000℃）での結晶成長が可能で、エネルギーコストを抑えられる。
2. 結晶成長速度が速いため、生産性が高い。
3. 大口径化が容易で、ウェハー1枚あたりのコストを下げられる。

ただし、溶液法には技術的な課題がある