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NVDA GPU等のAI半導体を搭載したserver ただAI server出荷台数は予想以上に伸びず AI半導体の約80%を独占するNVIDIA GPU TSMCが前工程そして後工程を担っているが TSMCはDRAMを生産しておらず 他社からHBMを入手しているのだが CoWを踏む中工程が存在してしまう 中工程でSilicon interposerとHBMのバランス HBM高性能化と搭載数の増加から Interposer面積の巨大化をきたし 円形Wafer edge部を不良と考えると 最大限でInterposerを何とか取得した最新型が NVDA看板の『H100』破格だ😱 ただTSMCの中工程キャパがあまりにも不足 次世代『B100』『B200』となると Interposerの更なる巨大化より 良質のInterposer取得が厳しくなる 今後,TSMCは良質なInterposer取得のために 戦い続けることになると考えられている Intelなんかは角型基盤でedge lossの解消を狙っているが装置等の環境設定コストは計り知れず 円形のままでとなると TSMCに与えられた課題は絶大なもの キャパは今でも限界なだけに💦 またHBM高性能化のため DRAMの高集積化と高速化から微細化は必須 EUV導入は当然の中 最先端のDRAMから最先端のHBMを生産する 最先端のHBMは2年程度で更新され続け 取り引き価格は破格中の破格である 覇権を制するDRAM makerが一体どこなのか? 今はS S Mの3社だが日本はなし と言うように NVIDIA GPUの生産が充足されるには まだまだ数年かかるという見方もある
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Silicon Cycle "シリコンサイクル"で好況期待も・・・ スマホ・パソコン向けの需要が減少・・ で、半導体関連で減収減益相次ぐ・・・ 半導体関連メーカーの業績が振るわないそうだ・・・日本の話? で、8035 ①2024年3月期決算:過去の話 ・売上高が前期比17・1%減の1兆8305億円 ・最終利益が22・8%減の3639億円 ・減収と最終減益は、いずれも4期ぶり ・顧客の設備投資が減った ・スマートフォンやパソコン向け需要が減少し、減収減益が相次いだ ・結果、スマホやパソコン向けの半導体製造で使う先端装置が低調だった 以上は、過去の話です値 ②未来の話 ・今後の回復には慎重な見方も出ている←どなたのご意見なの? ・デジタル化やAIの普及により、中長期では市場の成長が見込めるZO~ シリコンサイクル・・・今期は⤴♡
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【大悲報】ベトナム最大271.45%のAD/CVD関税が課せられる!?【早ければ来週決定】 バイデン政権が早ければ来週にも、中国に対する電気自動車や電池、太陽光発電設備などを対象とした関税の強化を発表するとアメリカメディアなどが報じた。 その関連で問題になっていた東南アジア4ヵ国への太陽電池、モジュールに対する関税率も決定する可能性がある。 On April 24, 2024, the American Alliance for Solar Manufacturing Trade Committee (the Petitioner)1 filed antidumping and countervailing duty (AD/CVD) petitions on U.S. imports of crystalline silicon photovoltaic cells, whether or not assembled into modules (solar cells and modules),2 from Cambodia, Malaysia, Thailand, and Vietnam. The Petitioner asserts that imports of solar cells and modules from these countries, which represented nearly 80% of U.S. imports of solar cells and modules in 2023, are injuring the U.S. domestic industry because they are sold in the United States for “less than normal value” (i.e., dumped) and unfairly subsidized. These petitions aim to impose antidumping and countervailing duties on U.S. imports of solar cells and modules from Cambodia, Malaysia, Thailand, and Vietnam that were not subject to the recent determinations by the U.S. Department of Commerce (DOC) that certain solar cells and modules from these countries were circumventing the existing AD/CVD orders on solar cells and modules from China.3 If the DOC determines that such dumping or subsidization is occurring and the U.S. International Trade Commission (ITC) determines that these imports are materially injuring or threatening material injury to the U.S. domestic industry, the DOC may impose significant duties, which may equal or exceed the margins alleged in the petitions — that is, Cambodia 126.07%, Malaysia 81.24%, Thailand 70.35%, and Vietnam 271.45%. This Sidley Update provides further information about these petitions in the following sections below: (1) proposed scope of the investigations; (2) producers, exporters, and importers named in the petitions; (3) alleged dumping margins and subsidy rates; and (4) key dates and deadlines. Sidley lawyers are available to advise and assist producers, exporters, importers, and purchasers that may be affected by these AD/CVD petitions.
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HBMに欠かせないTSVという技術 =====★超重要★===== KOKUSAIの持つ、原子レベルの絶縁膜によるTSV化に依存する3D絶縁膜積層化技術 ============== HBMで高い帯域幅を実現できる理由は、バス本数の多さにありました。 多くのバス本数を実現できる理由は、TSV(Through Silicon Via)という技術です。 TSV(Through Silicon Via)とは、英語で表現するとシリコンを通り抜ける、と直訳できます。 実際のTSV技術は、メモリの材料(母材)であるシリコンに小さな穴をあけて、その穴を電極で埋めて、高層ビルのように、電気配線を垂直方向につなげる技術です。 TSVを活用することで、横方向に電気配線を接続する「ワイヤーボンド接続」と比較して決められたメモリの面積内で、高さ方向が有効活用できるようになったため、より高密度な配線が可能になります。 さらに、上下層の間の配線距離が、ワイヤーボンド接続よりも非常に短くなるので、信号の伝播遅延も減少し、高い動作周波数が実現できるのです。 また、シリコンの3次元構造を生かして、メモリーの下にロジックICを形成して接続することもでき、ロジックICでメモリーの制御ができ、データ転送の効率化も可能になります。 異常の理由によりHBMに、TSVという技術は欠かせない重要なものなのです。
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HBMに欠かせないTSVという技術 =====★超重要★===== KOKUSAIの持つ、原子レベルの絶縁膜によるTSV化に依存する3D絶縁膜積層化技術 ============== HBMで高い帯域幅を実現できる理由は、バス本数の多さにありました。 多くのバス本数を実現できる理由は、TSV(Through Silicon Via)という技術です。 TSV(Through Silicon Via)とは、英語で表現するとシリコンを通り抜ける、と直訳できます。 実際のTSV技術は、メモリの材料(母材)であるシリコンに小さな穴をあけて、その穴を電極で埋めて、高層ビルのように、電気配線を垂直方向につなげる技術です。 TSVを活用することで、横方向に電気配線を接続する「ワイヤーボンド接続」と比較して決められたメモリの面積内で、高さ方向が有効活用できるようになったため、より高密度な配線が可能になります。 さらに、上下層の間の配線距離が、ワイヤーボンド接続よりも非常に短くなるので、信号の伝播遅延も減少し、高い動作周波数が実現できるのです。 また、シリコンの3次元構造を生かして、メモリーの下にロジックICを形成して接続することもでき、ロジックICでメモリーの制御ができ、データ転送の効率化も可能になります。 異常の理由によりHBMに、TSVという技術は欠かせない重要なものなのです。
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HBMとは? HBM(High Bandwidth Memory)とは非常に高い帯域幅(データ転送速度)を持ったDRAMです。 HBMの特徴1:3Dスタッキング技術 HBMは複数のメモリ層を垂直に積み重ねる3Dスタッキング技術を使用しています。これにより、従来の平面メモリよりも多くのデータを高速に処理できます。 例えば、HBM2では1024ビットのインターフェースが一般的です。 HBMの特徴3:低い消費電力 HBMは、高帯域幅を維持しながらも低い消費電力で動作します。 この接続方法により、データの転送速度が向上し、信号の品質が保たれータ転送に必要な電力が少ないためです。 HBMの特徴4:インターポーザ経由の接続 HBMはインターポーザと呼ばれるシリコンの層を介してGPUやCPUに接続されます。 HBMの用途 HBMは、高性能コンピューティング、サーバー、高度なグラフィックス処理、AI、機械学習など、高いメモリ帯域幅を必要とするアプリケーションに適しています。 HBMに欠かせないTSVという技術 HBMで高い帯域幅を実現できる理由は、バス本数の多さにありました。 多くのバス本数を実現できる理由は、TSV(Through Silicon Via)という技術です。 TSV(Through Silicon Via)とは、英語で表現するとシリコンを通り抜ける、と直訳できます。 実際のTSV技術は、メモリの材料(母材)であるシリコンに小さな穴をあけて、その穴を電極で埋めて、高層ビルのように、電気配線を垂直方向につなげる技術です。 TSVを活用することで、横方向に電気配線を接続する「ワイヤーボンド接続」と比較して決められたメモリの面積内で、高さ方向が有効活用できるようになったため、より高密度な配線が可能になります。 さらに、上下層の間の配線距離が、ワイヤーボンド接続よりも非常に短くなるので、信号の伝播遅延も減少し、高い動作周波数が実現できるのです。 また、シリコンの3次元構造を生かして、メモリーの下にロジックICを形成して接続することもでき、ロジックICでメモリーの制御ができ、データ転送の効率化も可能になります。 HBMに、TSVという技術は欠かせない重要なものなのです。
> Winsowsが動作しない…
2024/05/21 21:59
> Winsowsが動作しないARMチップがあるというのがよく分からないですね。 > ARMはライセンス上、命令セットの改変を認めていないので。 この点はおっしゃる通りで、CPU命令セットでは制限できません。 「公式にはサポートされない」けど、動く(動いているように見える)かもしれないですね。 Apple Silicon搭載のMacで「Arm版Windows 11」を利用可能に Parallels Desktop経由で https://www.itmedia.co.jp/pcuser/articles/2302/17/news194.html という情報が、Parallels Desktopでは動いていたらしい情報を見つけましたので。 https://answers.microsoft.com/ja-jp/windows/forum/all/arm%E7%89%88win11home%E3%81%AE%E3%83%A9%E3%82%A4/90cd3bd5-fd4d-4f08-ae86-8184020ee4ec したがいまして、「サポートがないものを製品に、利益を出せるだけの需要があるのか?」という観点で、SoCメーカが作らないのだと考えます。