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富士フイルム、ナノインプリントレジストを発売 ナノインプリントリソ技術に適合 富士フイルムは、半導体製造技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料「ナノインプリントレジスト」を開発、2024年5月下旬より富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズを通じて販売する。 スピンコート法に比べ、レジスト使用量は約100分の1に 富士フイルムは2024年4月、半導体製造技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料「ナノインプリントレジスト」を開発、2024年5月下旬より富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズを通じて販売すると発表した。 ナノインプリントリソグラフィは、回路パターンが形成されたマスクをレジストが塗布されたウエハー上に押し当て、回路パターンを転写、形成する技術である。従来の露光工程で用いられてきたフォトリソグラフィとは異なり、露光に用いる複雑で高額となる光学系が不要で、現像工程など製造プロセス自体も簡素化できる。このため、従来に比べ装置の導入コストや消費する電力を削減できるという。 同社は今回、製造工程におけるレジストの流動挙動や、レジストとウエハー表面やマスクとの相互作用などを詳細に解析。この結果に基づき、ナノインプリントリソグラフィに最適な分子構造のレジストを新たに設計した。 開発したナノインプリントレジストは、回路パターンが形成されたマスクに均一かつ素早く充填できる。このため、ナノメートルレベルの回路パターンを正確かつ短時間で転写し、形成することが可能となった。また、UV照射で硬化させた後にマスクを高速で剥がしても、転写された回路パターンにダメージを与えない離型性を備えている。これによって、高いスループットと歩留まりを可能にした。 さらに、産業用インクジェットプリンターの開発で培った技術を活用し、ウエハー表面に適切な液滴量を塗布する方式を採用した。この結果、従来のスピンコート法に比べ、レジストの使用量を約100分の1に削減できるという。しかも、有機フッ素化合物群「PFAS」は含まれておらず、環境問題にも配慮した。 上記にあるようにナノインプリントの弱点と言われた離型時の回路パターンの欠損とスループット(生産性)の問題を完全に解決したことにより、ASLMのEUVを製造コストで圧倒することになりました。
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TSMCで熊本はPFAS汚染のメッカとなりまーす!
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PFASやPFOS、半導体工場。日本の水は大丈夫なんかな。なんかリニアも不安になってきたよ。井戸水が飲めなくなるって寂しいわ。
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時間のある方は下記の記事を読んでいただければと思います。我が国のキヤノン、富士フイルム連合でASMLを追撃、無力化する可能性もあり得るということが理解出来るのではないでしょうか。 技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料 ナノインプリントレジスト新発売 ニュースリリース 2024年4月30日 半導体製造技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料 ナノインプリントレジスト新発売 最先端半導体製造時のコスト低減と省電力化に貢献 富士フイルム株式会社(本社:東京都港区、代表取締役社長・CEO:後藤 禎一)は、半導体製造技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料として、ナノインプリントレジストを5月下旬より、電子材料事業の中核会社である富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社(本社:神奈川県横浜市、代表取締役社長:小林 茂樹)を通じて販売します。 5G/6Gによる通信の高速・大容量化、自動運転の拡大、AIやメタバースの普及などを背景に、半導体の需要拡大と高性能化が見込まれています。昨年、高性能な先端半導体を低コスト・省電力で製造できる新しい製造技術として「ナノインプリントリソグラフィ」が実用化。「ナノインプリントリソグラフィ」は、半導体製造に用いるウエハー上のレジストに、回路パターンが刻み込まれたマスク(型)をハンコのように押し当てて回路パターンを転写・形成する技術で、半導体製造で広く使用されているフォトリソグラフィと異なって現像工程やリンス工程がなく、露光に用いる複雑な光学系も不要です。特に、高額な露光装置の導入など、投資がかさむ先端半導体分野では、フォトリソグラフィと比べてより低コスト、省電力で高性能な半導体を製造できるメリットを大きく享受できることから、「ナノインプリントリソグラフィ」の普及・拡大に期待が高まっています。 今回発売するナノインプリントレジストは、当社がフォトレジストなどの開発で培った知見と技術を活用して、製造工程におけるレジストの流動挙動や、レジストとウエハー表面・マスクそれぞれとの相互作用を詳細に解析し、「ナノインプリントリソグラフィ」に最適な分子構造を持つレジストを新規に設計したものです。当社のナノインプリントレジストは、マスクに刻み込まれた複雑な回路パターンに均一に素早く充填でき、ナノメートルレベルの回路パターンを忠実に短時間で転写・形成。さらに、UV照射により硬化させた後、マスクを高速で剥がしてもレジストに転写された回路パターンに欠損を生じさせない優れた離型性を発揮します。これにより、「ナノインプリントリソグラフィ」の実用化に向けた課題であった、スループット(時間当たりのパターニング処理能力)向上と低欠陥による歩留まり改善を可能にし、先端半導体製造時のコスト低減と省電力化に貢献します。 また、当社が産業用インクジェットプリンターの開発で培った技術を生かして、ウエハー表面に無駄なく最適な液滴量をインクジェット方式で塗布できる処方設計を実現。現在の製造プロセスで用いられるスピンコート法※1と比較して、レジストの使用量を約1/100に削減※2できます。今回発売するナノインプリントレジストは、環境や生態系への影響懸念から使用規制の動きが進む有機フッ素化合物群「PFAS」を含んでいません。 今後、当社はナノインプリントレジストの販売をとおして、最先端半導体製造時のコスト低減と省電力化に貢献する新しい半導体製造技術の普及・拡大を推進していきます。 当社は、フォトレジストやプロセスケミカル、ポリイミドなど半導体製造の前工程から後工程までのプロセス材料や、イメージセンサー用カラーフィルター材料をはじめとしたWave Control Mosaic(WCM)を展開し、最先端から非先端まで「ワンストップソリューションを提供する半導体材料メーカー」として、半導体顧客ニーズへの対応、課題解決に取り組んでいます。今回最先端の微細化に対応したナノインプリントレジストをラインアップに加え、これらの幅広い製品の提供と新しい製造技術に適合した製品開発により、半導体産業のさらなる発展に貢献していきます。 ※1 レジストをウエハー上に滴下し、ウエハー高速回転させることでレジスト薄膜を作製する方法。 ※2 当社による試算。 お問い合わせ
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TDK、成熟スマホに逆張り投資 10年周期の変身へ新中計- 日本経済新聞 14:50 東レ、先端半導体製造用フィルム新開発 PFAS使わず- 日本経済新聞 14:46 台湾株22日 反発、最高値更新 TSMCや鴻海高い- 日本経済新聞 14:48
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ナノインプリントレジスト新発売 最先端半導体製造時のコスト低減と省電力化に貢献 富士フイルム株式会社(本社:東京都港区、代表取締役社長・CEO:後藤 禎一)は、半導体製造技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料として、ナノインプリントレジストを5月下旬より、電子材料事業の中核会社である富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社(本社:神奈川県横浜市、代表取締役社長:小林 茂樹)を通じて販売します。 5G/6Gによる通信の高速・大容量化、自動運転の拡大、AIやメタバースの普及などを背景に、半導体の需要拡大と高性能化が見込まれています。昨年、高性能な先端半導体を低コスト・省電力で製造できる新しい製造技術として「ナノインプリントリソグラフィ」が実用化。「ナノインプリントリソグラフィ」は、半導体製造に用いるウエハー上のレジストに、回路パターンが刻み込まれたマスク(型)をハンコのように押し当てて回路パターンを転写・形成する技術で、半導体製造で広く使用されているフォトリソグラフィと異なって現像工程やリンス工程がなく、露光に用いる複雑な光学系も不要です。特に、高額な露光装置の導入など、投資がかさむ先端半導体分野では、フォトリソグラフィと比べてより低コスト、省電力で高性能な半導体を製造できるメリットを大きく享受できることから、「ナノインプリントリソグラフィ」の普及・拡大に期待が高まっています。 今回発売するナノインプリントレジストは、当社がフォトレジストなどの開発で培った知見と技術を活用して、製造工程におけるレジストの流動挙動や、レジストとウエハー表面・マスクそれぞれとの相互作用を詳細に解析し、「ナノインプリントリソグラフィ」に最適な分子構造を持つレジストを新規に設計したものです。当社のナノインプリントレジストは、マスクに刻み込まれた複雑な回路パターンに均一に素早く充填でき、ナノメートルレベルの回路パターンを忠実に短時間で転写・形成。さらに、UV照射により硬化させた後、マスクを高速で剥がしてもレジストに転写された回路パターンに欠損を生じさせない優れた離型性を発揮します。これにより、「ナノインプリントリソグラフィ」の実用化に向けた課題であった、スループット(時間当たりのパターニング処理能力)向上と低欠陥による歩留まり改善を可能にし、先端半導体製造時のコスト低減と省電力化に貢献します。 また、当社が産業用インクジェットプリンターの開発で培った技術を生かして、ウエハー表面に無駄なく最適な液滴量をインクジェット方式で塗布できる処方設計を実現。現在の製造プロセスで用いられるスピンコート法※1と比較して、レジストの使用量を約1/100に削減※2できます。今回発売するナノインプリントレジストは、環境や生態系への影響懸念から使用規制の動きが進む有機フッ素化合物群「PFAS」を含んでいません。 今後、当社はナノインプリントレジストの販売をとおして、最先端半導体製造時のコスト低減と省電力化に貢献する新しい半導体製造技術の普及・拡大を推進していきます。 富士フイルムのナノインプリント用の新たなレジスト開発によりキヤノンのナノインプリント露光装置はASLMのEUV露光装置をアウトパフォームすることになりました。
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静岡市清水区三保の化学工場「三井・ケマーズフロロプロダクツ清水工場」の周辺水路から、発がん性の恐れが指摘される化学物質「PFAS(ピーファス)」が検出された問題で、工場の元従業員の男性らが13日、市内で記者会見を開き、市民団体「清水PFAS問題を考える連絡会」を発足させると発表した。 ✲゚。.ʅ(´◔౪◔)ʃ ☆.。₀:お手上げ*゚✲゚*~
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国際機関から発がん性を指摘されているPFAS(有機フッ素化合物)。ジャーナリストの諸永裕司さんは、静岡市にある三井・ケマーズフロロプロダクツ(旧三井・デュポンフロロケミカル)の清水工場で高濃度に汚染された排水や排気の実態を記した大量の極秘資料『ディポン・ファイル』を入手しました。スローニュース上でのスクープ連載で、PFAS汚染が全国で問題になる中、工場の地元のみならず各地から反響の声が上がっています。 この報道を受けて、いまどう対処しようとしているのか。今回、工場が立地する静岡市の難波喬司市長に諸永さんがインタビューをしました。 「公害であるのは明らかだ」 難波市長は対外的な説明を一度も行っていない会社に、説明責任を果たすよう強く求めると語りました。主な一問一答です。 「会社から何のコメントも出ていない」 独自入手した「デュポン・ファイル」には工場の南西の井戸で高濃度が検出されたことを示す資料が存在した ――三井ケマーズフロロプロダクツ(MCF)の清水工場による汚染について、市はこれまで会社からどのような説明を受けてきましたか。 工場の外は(MCFは)調べてない、我々が調べてるだけですよね。工場の中の汚染についての説明はほぼゼロですね。 ――市長が聞いても答えない? 最低限のことは答えますけどね。どのあたりが一番濃度が高かったとかは話してくれますけど、公表は不可ということです。 ――公表不可というのは、会社側から? 企業情報ですから聞いたからといって(市が)一方的に出すわけにはいかない。「公表していいですか」って聞いたら「いや、ちょっと駄目です」みたいな感じです。教えてもらっているのは、工場の西南角あたりの濃度が高いということぐらいですね。 ――工場から数キロ離れた地区でも地下水汚染が起きています。 ――
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全国各地の地下水から 発がん性が指摘される有機フッ素化合物「PFAS(ピーファス)」が高濃度で検出されている(日経電子版) どえらい ビジネスチャンスやんけ\(゜ロ\)(/ロ゜)/
横須賀基地「PFAS」検出問題…
2024/06/02 06:08
横須賀基地「PFAS」検出問題 米“検査不要 情報提供義務なし” NHK 国会議員どもは大事なこと闘いもせずに、政治資金を巡るプロレスでやったフリだけには一生懸命だよな。