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朝鮮日報日本語版 2023年5月5日に以下の記事が載ってます。 韓国SKハイニックス、キヤノン製の半導体露光装置を導入…「3D NANDを高度化」 SKハイニックスは今年、日本のキヤノンからナノインプリント露光装置を導入し、テストを進めている。2025年ごろに同装置を使い、3D(3次元)NAND型フラッシュメモリーの量産を開始することを目標に研究開発を進めており、これまでのテスト結果が順調であるため、量産用設備も追加発注される見通しだ。 半導体業界によると、SKハイニックスは今年、キヤノンからナノインプリント露光装置のテスト装備を購入し、3D NAND型フラッシュメモリーの生産工程に適用するためのテストを進めている。業界で最先端製造プロセスに使用されている極端紫外線(EUV)露光装置の次世代設備とされ、これまでは研究開発レベルでの採用にとどまっていた。 次世代の露光技術として脚光を浴びてきたナノインプリント露光装置は、ナノパターンが刻まれたスタンプを使い、まるで印鑑を押すようにシリコンウエハー上にナノパターンを転写するのが特徴だ。 液体である紫外線感光液をシリコン基板上にコーティングした後、透明なスタンプを接触させ圧力を加えるとスタンプとの間にパターンが形成される。その後、光を投射してパターンを固体化する。安価な紫外線を光源として使用し、レンズを使わないため、従来のフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置や最高2000億ウォン(200億円)もするEUV露光設備を使用するよりも経済的とされている。 既存のArF設備で形成できる回路線幅の物理的な限界値は38ナノメートルにとどまる。主要半導体メーカーは、ArF液浸露光装置で回路パターンを2回または3回かけて形成するダブルパターニング技術を導入し、20ナノメートル以下にまで微細化を進めてきた。しかし、マルチパターニング工程を導入すると、生産時間が長くなり、蒸着やエッチングなどに使う設備の導入も増やさなければならない。それがスペースを取るため、生産ライン全体の生産量が減るデメリットが大きい。 SKハイニックスに詳しい関係者は「既存のArF液浸露光装置では数回パターニングを行わなければならないため、工程の数が増え、生産コストが増大する」とした上で、「通常4回のマルチパターニングが必要な既存工程に比べ、ナノインプリント露光装置がコスト面ではるかに優れていることはある程度確認された」と説明した。 ただ、ナノインプリント露光装置もまだ完全なものではない。同関係者は「EUVと比較してパターン形成の自由度が落ちるため、一定のパターンを維持するNAND型フラッシュメモリーの生産に優先的に採用される見通しだ。SKハイニックスが設備調達に乗り出したのもそのためだ」と付け加えた。 ナノインプリント露光装置が商用化されれば、SKハイニックスをはじめとするNAND型フラッシュメモリー業者は、200層台からますます工程の難度が高まっている3D NAND型フラッシュメモリーの分野で生産性を高めることができるとみられる。3D NAND型フラッシュメモリーでは積層数を増やすためにあらゆる化学薬品処理で表面を低くすることがカギだが、200層を超えるとその部分がますます難しくなっている。 一方、ライバル会社のサムスン電子もマルチパターニング工程導入によるコスト上昇問題を解決するため、いち早く極EUV露光設備を導入し、それ以外にナノインプリント露光装置を含む3-4種類のソリューションを開発しているとされる。 ファン・ミンギュ記者
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キャノンの優れもの 次世代露光装置 ナノインプリント SK採用へ Posted:[ 2023年5月 8日 ] SKハイニックスは今年、日本のキヤノンからナノインプリント露光装置を導入し、テストを進めている。2025年ごろに同装置を使い、3D(3次元)NAND型フラッシュメモリーの量産を開始することを目標に研究開発を進めており、これまでのテスト結果が順調であるため、量産用設備も追加発注される見通しだ。 半導体業界によると、SKハイニックスは今年、キヤノンからナノインプリント露光装置のテスト装備を購入し、3D NAND型フラッシュメモリーの生産工程に適用するためのテストを進めている。 業界でナノインプリント露光装置期、現在最先端製造プロセスに使用されている極端紫外線(EUV)露光装置の次世代設備とされ、これまでは研究開発レベルでの採用にとどまっていた。 上記の記事は昨年5月のものですが、世界の有力な半導体メーカーが同様のテストを繰り返しているものと思われます。今回の富士フイルムによるナノインプリント用のレジストの提供により各社採用に大きく前進したことは間違いありません。 露光装置の分野に大革命の予感がしています。
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6月4日が運命の分かれ道ですね インド株が記録的な上昇を続けるには、総選挙でモディ首相のインド人民党(BJP)が303議席余りを獲得する必要がある。ブルームバーグ・ニュースが市場関係者を対象に行った調査でこうした見方が示された。 運用担当者やストラテジスト、ディーラー32人の予想平均によると、与党BJPが過半数を制しても303議席を下回れば、NSEニフティー50指数は約2%下落し、インド・ルピーと国債も値下がりする公算が大きい。 BJPは2019年の下院選で単独過半数の303議席を獲得。これを上回る議席数となれば、NSEニフティー50指数は約3%上昇する可能性があるとの調査結果が出ている。 BJPが地滑り的な勝利を収めれば、インドの経済成長を加速させるために不可欠とされる政治的に困難な土地取得や労働改革を推進するために必要な権限をモディ氏に与えることになる。 投資家は引き続きモディ氏の3期目入りを見込んでいるものの、投票率が低く、一部の地域では接戦が伝えられていることから、4月19日に選挙が始まって以来、与党圧勝に対する投資家の期待は弱まっている。 アリエル・インベストメンツのグローバル・新興国市場担当最高投資責任者(CIO)ヘンリー・マラリダウリア氏はインタビューで、「もしモディ氏が勝利しなければ、不確実性が生じ、バリュエーションがある程度圧迫されるだろう」が、「現時点では選挙結果の不確実性はほとんどない」と述べた。 6月4日の開票を控え、インド株は記録的な高値水準となっており、ルピーとインド国債は約2カ月ぶりの高値に近い水準にある。 予想通り、株式市場でも通貨市場でもボラティリティーが急上昇している。ナショナル証券取引所(NSE)の30日物インプライドボラティリティー(IV、予想変動率)は4月の低水準から倍以上に拡大し、ドル・ルピーのオプションカーブ(1カ月物)も選挙開始以来、着実に上昇している。
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油彩の油、特に揮発性油と乾燥促進剤のシッカチーフは猛暑時期には引火の恐れがある。 このため、インプリマトゥーラから先は、テレピンを減らしていく。 シッカチーフは使わない。使ったとしても、アルキド樹脂。 油は、下水に流さない。 紙で吹きとり、ふき取った紙は、金属製のフタつきのゴミ箱に入れる。 フタは足で開き、閉じる時はゆっくり閉じるタイプのゴミ箱。 ゴミ箱の中には、あらかじめ水を適量ひいておく。
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油彩を描きはじめた。 アクリルの下絵の上に、インプリマトゥーラのための有色油をひく。 スタンドオイルにテレピン、カドミウム系顔料。 テレピンの石油くささと懐かしい油の匂いが、北西向きアトリエに充満する。 換気のために窓を開け、換気に優れるカーテン研究所製ガーゼ系レースのカーテン。 夜は、外から覗きこめば、アトリエの内部がわかるが、やむおえない。 テレピン臭が、網戸から抜け、100m先のエレベータまで漂う。
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富士フイルムは30日、最先端の半導体製造装置で使う材料を5月下旬からキヤノンに販売すると発表した。「ナノインプリント技術」を駆使した装置で、人工知能(AI)や自動運転などの広がりで需要拡大が見込まれている。富士フイルムは半導体材料事業の成長につなげる。 富士フイルムの子会社で、電子材料を手がける富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ(横浜市)を通じて販売する。生産は同社の静岡工場(静岡県吉田町)で5月からはじめる。 「ナノインプリントレジスト」と呼ばれる半導体材料をキヤノンに納入する。半導体製造に用いるウエハーに塗布し、回路パターンが刻み込まれた型をハンコのように押し当てて、回路パターンを転写する工程で使う。 ナノインプリント技術を搭載した半導体製造装置はキヤノンが世界で初めて実用化し、2023年10月から発売している。これまで普及してきた製造手法と比べて、低コストや省電力で生産できる強みがある。現状で製造販売するのはキヤノンのみだ。 富士フイルムは従来の半導体製造工程で使う材料の「フォトレジスト」で世界で一定のシェアを持つ。半導体材料をグループの成長の柱と位置づけており、27年3月期の売上高で3000億円と、25年3月期見通しの2400億円から25%増やす方針を掲げている。新しい製造工程にも対応する材料をいち早く販売することで事業成長を目指す。 キヤノン、富士フィルム連合でASMLを追撃、無力化するという日本の半導体事業の世界復権を担う一大プロジェクトが始まります、
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ようやく、下絵ができた。 インプリマトゥーラの前段階の下絵をアクリルで描く。 アクリルで描く理由は、乾きが早いため。 フォルムと影と色とコントラストがほぼ決まる。 ブラックジェッソの上に描いていくが、黒はほとんど残らない。 影の表現は補色で対応し、最も暗い線は黒になる。 この後、油を塗って、吸収を止める。 その後、油絵で混色した色を置いていくが、生渇きの加筆を繰り返すとヒビ割れの原因になるので注意が必要だ。 ドラクロワなどの失敗作から学ぶ。 模範的なのは、ルーベンスだろう。フランダースの犬にも出てくる。 ホルベインの無臭ぺトロールにマツダのスタンドオイルの割合を加減しながら、4層構造。 4層の構造の各段階で、100回以上は塗り重ねる。 これで商売はできない。割に合わない。公募展や賞レース用。
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富士フイルムは30日、最先端の半導体製造装置で使う材料を5月下旬からキヤノンに販売すると発表した。「ナノインプリント技術」を駆使した装置で、人工知能(AI)や自動運転などの広がりで需要拡大が見込まれている。富士フイルムは半導体材料事業の成長につなげる。 富士フイルムの子会社で、電子材料を手がける富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ(横浜市)を通じて販売する。生産は同社の静岡工場(静岡県吉田町)で5月からはじめる。 「ナノインプリントレジスト」と呼ばれる半導体材料をキヤノンに納入する。半導体製造に用いるウエハーに塗布し、回路パターンが刻み込まれた型をハンコのように押し当てて、回路パターンを転写する工程で使う。 ナノインプリント技術を搭載した半導体製造装置はキヤノンが世界で初めて実用化し、2023年10月から発売している。これまで普及してきた製造手法と比べて、低コストや省電力で生産できる強みがある。現状で製造販売するのはキヤノンのみだ。 富士フイルムは従来の半導体製造工程で使う材料の「フォトレジスト」で世界で一定のシェアを持つ。半導体材料をグループの成長の柱と位置づけており、27年3月期の売上高で3000億円と、25年3月期見通しの2400億円から25%増やす方針を掲げている。新しい製造工程にも対応する材料をいち早く販売することで事業成長を目指す。 キヤノン、富士フィルム連合でASMLを追撃、無力化するという日本の半導体事業の世界復権を担う一大プロジェクトが始まります、
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時間のある方は下記の記事を読んでいただければと思います。我が国のキヤノン、富士フイルム連合でASMLを追撃、無力化する可能性もあり得るということが理解出来るのではないでしょうか。 技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料 ナノインプリントレジスト新発売 ニュースリリース 2024年4月30日 半導体製造技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料 ナノインプリントレジスト新発売 最先端半導体製造時のコスト低減と省電力化に貢献 富士フイルム株式会社(本社:東京都港区、代表取締役社長・CEO:後藤 禎一)は、半導体製造技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料として、ナノインプリントレジストを5月下旬より、電子材料事業の中核会社である富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社(本社:神奈川県横浜市、代表取締役社長:小林 茂樹)を通じて販売します。 5G/6Gによる通信の高速・大容量化、自動運転の拡大、AIやメタバースの普及などを背景に、半導体の需要拡大と高性能化が見込まれています。昨年、高性能な先端半導体を低コスト・省電力で製造できる新しい製造技術として「ナノインプリントリソグラフィ」が実用化。「ナノインプリントリソグラフィ」は、半導体製造に用いるウエハー上のレジストに、回路パターンが刻み込まれたマスク(型)をハンコのように押し当てて回路パターンを転写・形成する技術で、半導体製造で広く使用されているフォトリソグラフィと異なって現像工程やリンス工程がなく、露光に用いる複雑な光学系も不要です。特に、高額な露光装置の導入など、投資がかさむ先端半導体分野では、フォトリソグラフィと比べてより低コスト、省電力で高性能な半導体を製造できるメリットを大きく享受できることから、「ナノインプリントリソグラフィ」の普及・拡大に期待が高まっています。 今回発売するナノインプリントレジストは、当社がフォトレジストなどの開発で培った知見と技術を活用して、製造工程におけるレジストの流動挙動や、レジストとウエハー表面・マスクそれぞれとの相互作用を詳細に解析し、「ナノインプリントリソグラフィ」に最適な分子構造を持つレジストを新規に設計したものです。当社のナノインプリントレジストは、マスクに刻み込まれた複雑な回路パターンに均一に素早く充填でき、ナノメートルレベルの回路パターンを忠実に短時間で転写・形成。さらに、UV照射により硬化させた後、マスクを高速で剥がしてもレジストに転写された回路パターンに欠損を生じさせない優れた離型性を発揮します。これにより、「ナノインプリントリソグラフィ」の実用化に向けた課題であった、スループット(時間当たりのパターニング処理能力)向上と低欠陥による歩留まり改善を可能にし、先端半導体製造時のコスト低減と省電力化に貢献します。 また、当社が産業用インクジェットプリンターの開発で培った技術を生かして、ウエハー表面に無駄なく最適な液滴量をインクジェット方式で塗布できる処方設計を実現。現在の製造プロセスで用いられるスピンコート法※1と比較して、レジストの使用量を約1/100に削減※2できます。今回発売するナノインプリントレジストは、環境や生態系への影響懸念から使用規制の動きが進む有機フッ素化合物群「PFAS」を含んでいません。 今後、当社はナノインプリントレジストの販売をとおして、最先端半導体製造時のコスト低減と省電力化に貢献する新しい半導体製造技術の普及・拡大を推進していきます。 当社は、フォトレジストやプロセスケミカル、ポリイミドなど半導体製造の前工程から後工程までのプロセス材料や、イメージセンサー用カラーフィルター材料をはじめとしたWave Control Mosaic(WCM)を展開し、最先端から非先端まで「ワンストップソリューションを提供する半導体材料メーカー」として、半導体顧客ニーズへの対応、課題解決に取り組んでいます。今回最先端の微細化に対応したナノインプリントレジストをラインアップに加え、これらの幅広い製品の提供と新しい製造技術に適合した製品開発により、半導体産業のさらなる発展に貢献していきます。 ※1 レジストをウエハー上に滴下し、ウエハー高速回転させることでレジスト薄膜を作製する方法。 ※2 当社による試算。 お問い合わせ
富士フイルム、ナノインプリント…
2024/06/01 08:47
富士フイルム、ナノインプリントレジストを発売 ナノインプリントリソ技術に適合 富士フイルムは、半導体製造技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料「ナノインプリントレジスト」を開発、2024年5月下旬より富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズを通じて販売する。 スピンコート法に比べ、レジスト使用量は約100分の1に 富士フイルムは2024年4月、半導体製造技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料「ナノインプリントレジスト」を開発、2024年5月下旬より富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズを通じて販売すると発表した。 ナノインプリントリソグラフィは、回路パターンが形成されたマスクをレジストが塗布されたウエハー上に押し当て、回路パターンを転写、形成する技術である。従来の露光工程で用いられてきたフォトリソグラフィとは異なり、露光に用いる複雑で高額となる光学系が不要で、現像工程など製造プロセス自体も簡素化できる。このため、従来に比べ装置の導入コストや消費する電力を削減できるという。 同社は今回、製造工程におけるレジストの流動挙動や、レジストとウエハー表面やマスクとの相互作用などを詳細に解析。この結果に基づき、ナノインプリントリソグラフィに最適な分子構造のレジストを新たに設計した。 開発したナノインプリントレジストは、回路パターンが形成されたマスクに均一かつ素早く充填できる。このため、ナノメートルレベルの回路パターンを正確かつ短時間で転写し、形成することが可能となった。また、UV照射で硬化させた後にマスクを高速で剥がしても、転写された回路パターンにダメージを与えない離型性を備えている。これによって、高いスループットと歩留まりを可能にした。 さらに、産業用インクジェットプリンターの開発で培った技術を活用し、ウエハー表面に適切な液滴量を塗布する方式を採用した。この結果、従来のスピンコート法に比べ、レジストの使用量を約100分の1に削減できるという。しかも、有機フッ素化合物群「PFAS」は含まれておらず、環境問題にも配慮した。 上記にあるようにナノインプリントの弱点と言われた離型時の回路パターンの欠損とスループット(生産性)の問題を完全に解決したことにより、ASLMのEUVを製造コストで圧倒することになりました。