morinokuma3

>>No. 780

高加速電圧SEMですね。一般的には試料表面を観察するのですが、加速電圧を上げると内部の状態も観察できると考えてください。

>>No. 765

>「EUV用のフォトレジスト」の欠陥を検査

一般的に検査対象は転写されたパターンだと思います。

半導体は平面的な密度を上げてきましたが、近年構造の三次元化においては，特にメモリなどでは縦方向に素子を積層する3D-NANDが急速に拡大しております。今現在積層数は100層くらいになっているはずです。
いわゆるFin-FETです。製造プロセスも多様化しており、欠陥の種類も様々です。

微細化に伴う寸法精度の向上だけでなく，深穴や深溝底の寸法計測や実パターンでの重ね合わせ裕度の計測ニーズが増大しております。これに伴い，実パターンの計測を可能とする高加速電圧の測長SEM（CD-SEM）のニーズが高まっているようです。

>>No. 760

レーザーテックのマスク検査装置は最先端の微細なマスクには使用できないと思います。分解能の違いによるものです。ホロンなどが販売しているマスク検査装置は電子ビーム型、つまり走査電子顕微鏡の原理ですが、レーザー顕微鏡はレーザー光の波長に依存します。ですからEUVは勿論のこと最先端のmemory等には使用できません。

日本電子のJEM-ACE200Fは透過型電子顕微鏡（TEM）の原理を利用します。電子ビームの透過能に依存します。対して走査電子顕微鏡（SEM）は検査対象表面に照射して表面形状を観察します。

ちなみに電子ビームの加速電圧を上げることで積極的にバックスキャッタを利用してレジスト内部に埋もれた欠陥を検査する試みも行われているみたいです。

>>No. 755

ここでいうところの露光装置とは？
一般的にはマスク・レチクル描画装置とウェハ直接露光（描画）装置とは別物です。
マスク描画装置は今現在電子ビーム方式しかありません。ちなみにメーカーは日本電子とニューフレアの2社のみです。

>>No. 735

エルメス＝HERMES MVのことかと思いますが、世界で唯一というのは間違いです。ウェハの検査装置に電子ビームを使っている装置を生産しているのは日立ハイテク、Applied Materials、KLA-Tencor、NGR（東レエンジニアリング子会社）、アドバンテストなどのメーカーがあります。昔は日本電子もやってましたが撤退しました。

一般にWafer Inspection といいますが、大別するとレビューSEMとCD-SEM（測長SEM）になります。

>パターン間の寄生容量の問題
マスク露光装置ではありませんので、あまり関係ありません。