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昨今の半導体技術ではムーアの法則が頭打ちになってきたことで、さらなる性能向上もしくは集積度向上策として3次元絶縁成膜積層技術が必須になりつつあります。 (1)先端3Dロジック半導体、(2)チップレット集積についてベルギー imecなどでの研究も踏まえた最新の開発動向を具体的に紹介すると共に、今後の方向性を展望します。 ロジック半導体はAI半導体やデータセンターでのさらなる活用が見込まれています。 そのロジック半導体の2nmノード以降での適用が期待されている先端3D集積配線形成技術が「Backside Power Delivery Network (BSPDN)」。 このBSPDNを中心に前工程において後工程の接合や薄化技術を活用することが検討されています。 また、新規の接合技術では「ハイブリッド接合」に大きな期待が寄せられています。裏面照射型CMOSイメージセンサーでは、既にハイブリッド接合が実用化されています。 さらにチップサイズ縮小と高速化のために、3次元フラッシュメモリにおいても応用が検討されています。 このハイブリッド接合技術は「ダマシン配線」、「CMP」、「洗浄」、「プラズマ活性化直接接合」等の要素技術を駆使し、デバイスを3D集積する新規な接合技術です。 今後はピッチの縮小に挑むことになり、現在の1μmピッチ程度から、将来的には500nmピッチ以下を目指すことになります。 このような微細ハイブリッド接合を達成するためには多くの課題が残っており、さまざまな研究機関、デバイスメーカー、装置メーカー、材料メーカーが研究開発を進めています。 マイクロプロセッサーなどロジック半導体では低消費電力、高Yield(歩留まり)、Time-to-Marketの短縮のためにチップレット集積が注目されています。その中でも大きな課題となっているのは垂直方向配線のピッチ縮小です。 この課題に対し、現状のソルダー熱圧着の代替としてのここでもハイブリッド接合に期待がかかっています。
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昨今の半導体技術ではムーアの法則が頭打ちになってきたことで、さらなる性能向上もしくは集積度向上策として3次元集積が必須になりつつあります。 (1)先端3Dロジック半導体、(2)チップレット集積についてベルギー imecなどでの研究も踏まえた最新の開発動向を具体的に紹介すると共に、今後の方向性を展望します。 ロジック半導体はAI半導体やデータセンターでのさらなる活用が見込まれています。 そのロジック半導体の2nmノード以降での適用が期待されている先端3D集積配線形成技術が「Backside Power Delivery Network (BSPDN)」。 このBSPDNを中心に前工程において後工程の接合や薄化技術を活用することが検討されています。 また、新規の接合技術では「ハイブリッド接合」に大きな期待が寄せられています。裏面照射型CMOSイメージセンサーでは、既にハイブリッド接合が実用化されています。 さらにチップサイズ縮小と高速化のために、3次元フラッシュメモリにおいても応用が検討されています。 このハイブリッド接合技術は「ダマシン配線」、「CMP」、「洗浄」、「プラズマ活性化直接接合」等の要素技術を駆使し、デバイスを3D集積する新規な接合技術です。 今後はピッチの縮小に挑むことになり、現在の1μmピッチ程度から、将来的には500nmピッチ以下を目指すことになります。 このような微細ハイブリッド接合を達成するためには多くの課題が残っており、さまざまな研究機関、デバイスメーカー、装置メーカー、材料メーカーが研究開発を進めています。 マイクロプロセッサーなどロジック半導体では低消費電力、高Yield(歩留まり)、Time-to-Marketの短縮のためにチップレット集積が注目されています。その中でも大きな課題となっているのは垂直方向配線のピッチ縮小です。 この課題に対し、現状のソルダー熱圧着の代替としてのここでもハイブリッド接合に期待がかかっています。
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アンリツの計測器を使用しています。惚れ込んで、昨日株まで買いました。 AIスマホ、データセンター高速化、6Gに期待。
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昨今の半導体技術ではムーアの法則が頭打ちになってきたことで、さらなる性能向上もしくは集積度向上策として3次元集積が必須になりつつあります。 (1)先端3Dロジック半導体 (2)チップレット集積についてベルギー imecなどでの研究も踏まえた最新の開発動向を具体的に紹介すると共に、今後の方向性を展望します。 ロジック半導体はAI半導体やデータセンターでのさらなる活用が見込まれています。 そのロジック半導体の2nmノード以降での適用が期待されている先端3D集積配線形成技術が「Backside Power Delivery Network (BSPDN)」。 このBSPDNを中心に前工程において後工程の接合や薄化技術を活用することが検討されています。 また、新規の接合技術では「ハイブリッド接合」に大きな期待が寄せられています。裏面照射型CMOSイメージセンサーでは、既にハイブリッド接合が実用化されています。 さらにチップサイズ縮小と高速化のために、3次元フラッシュメモリにおいても応用が検討されています。
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昨今の半導体技術ではムーアの法則が頭打ちになってきたことで、さらなる性能向上もしくは集積度向上策として3次元集積が必須になりつつあります。 (1)先端3Dロジック半導体、(2)チップレット集積についてベルギー imecなどでの研究も踏まえた最新の開発動向を具体的に紹介すると共に、今後の方向性を展望します。 ロジック半導体はAI半導体やデータセンターでのさらなる活用が見込まれています。 そのロジック半導体の2nmノード以降での適用が期待されている先端3D集積配線形成技術が「Backside Power Delivery Network (BSPDN)」。 このBSPDNを中心に前工程において後工程の接合や薄化技術を活用することが検討されています。 また、新規の接合技術では「ハイブリッド接合」に大きな期待が寄せられています。裏面照射型CMOSイメージセンサーでは、既にハイブリッド接合が実用化されています。 さらにチップサイズ縮小と高速化のために、3次元フラッシュメモリにおいても応用が検討されています。 このハイブリッド接合技術は「ダマシン配線」、「CMP」、「洗浄」、「プラズマ活性化直接接合」等の要素技術を駆使し、デバイスを3D集積する新規な接合技術です。 今後はピッチの縮小に挑むことになり、現在の1μmピッチ程度から、将来的には500nmピッチ以下を目指すことになります。 このような微細ハイブリッド接合を達成するためには多くの課題が残っており、さまざまな研究機関、デバイスメーカー、装置メーカー、材料メーカーが研究開発を進めています。 マイクロプロセッサーなどロジック半導体では低消費電力、高Yield(歩留まり)、Time-to-Marketの短縮のためにチップレット集積が注目されています。その中でも大きな課題となっているのは垂直方向配線のピッチ縮小です。 この課題に対し、現状のソルダー熱圧着の代替としてのここでもハイブリッド接合に期待がかかっています。
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アメリカの株式時価総額は全世界の半分を占めます。 インターネットと関連するハードとソフトの世界をほぼ支配してるからこそ高収益企業が多数生まれているわけです。 しかしそのハードとソフトが進歩すればするほど、扱うデータ量も電力消費も膨大になり、高度な処理には即時性といった高速化も求められるようになります。ここにきてハードとソフトは加速度的に進歩してきたが、電力供給力と通信速度が大きなボトルネックになってきてるのです。IWONはそれらを解決する技術であり、ここをNTTが抑えれば株価は大いに期待できるでしょう。 その成果が2年先、3年先になるかはわかりませんが今の株価水準なら配当利回りも3%超えるわけですし、下値も知れてますのでいつ始まるかしれない暴騰に備えて株を持っておくのはアリだと思います。
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AI革命、第4次産業革命をの意味を勉強して、理解して、ジェンスンファンCEOの革命的な理念、事業展開を知れば、NVDAは、単なるAI半導体メーカーではなく、AI革命を先導していることが分かります。 ソフト開発&サービス提供も行い、主要先進国ばかりでなく、発展途上国まで、AI革命の支援と提携を進めている。そして、世界の大手自動車メーカーとも提携を進めてきていて、自動運転、製造&サービスのAi化も進めてきている。コロナワクチン開発では、遺伝子解析の高速処理を実現して、早期ワクチン開発を可能としてきた。 既に、大手の企業では、生成AIを導入して、設計、開発の、生産の最適化、高速化を進めています。また、グローバルな品質情報収集&保証体制もAI化を進め、品質を飛躍的に向上していけます。 AI革命で、世の中は、飛躍的に変革され、想像を超えた世の中になりますよ。
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SiCは、シリコン(Si)と炭素(C)で構成される化合物半導体材料です。 シリコンに比べ、更に結合力が強く、熱的、化学的、機械的に安定している物質です。 モース硬さは9.5であり、ダイヤモンドや炭化ホウ素に次いで硬いでSiCの硬度はSiの約4倍と硬くまたこれらの材料は化学的・熱的に安定であるため、基板として利用する際の仕上げ加工が極めて難しく(難加工性半導体材料)、加工プロセスの高速化、低コスト化が課題となっています。 タカトリのパワー半導体材料(SiC)の加工機、世界シェア90%超え。今のうちに他の業者が参入しないうちに実績を作りタカトリの名声を確立すること。SiとSiCでは結晶の作り方が異なるためSiに比べてウエハーの価格が高い、結晶欠陥が発生しやすいなど課題があるが、SiCの特性を引き出すためSiCウエハーの品質を高める努力がなされている。世界中の企業がSiCパワー半導体の開発、投資に動き出している。 タカトリのパワー半導体材料(SiC)の加工機の注文もSiCウエハーの品質向上、低価格進めば入ってくる。デンソーは、2030年までに半導体分野へ約5000億円を投じ、関連事業の売上高を35年に現状比3倍に拡大する。炭化ケイ素(SiC)パワー半導体などの生産を拡大し、コスト競争力を強化する。 ロームのSiCパワー半導体にかける気力がますます充実し始めた。28年3月期までに何と5100億円を投資し、SiCパワー半導体の世界シェアを30~50%獲得狙う。SiC基盤の製造も予定している。
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AI(生成AI)の処理が高速化して、半導体からの放熱が課題となっている テクニスコのヒートシンク(放熱板)の重要性が今後、注目されることになる 隠れた、生成AI、半導体関連の大穴株
「世界最高レベルの微調整 アド…
2024/05/29 09:18
「世界最高レベルの微調整 アドテックプラズマテクノロジーが電源制御システム開発」今朝の中国新聞より 同社が開発した電源の高速制御システム「マークファイブ」では、フルデジタル化し、高性能チップを使用。従来機では毎秒500回だった制御を毎秒50万回できるよう高速化することでプラズマを安定させ、より細かな加工に対応できるようにした。顧客が求める波形通りに電力を出せる機能も開発し、特許を取得した。 マークファイブを搭載した電源は、ベトナムでの生産を予定する。同社は昨年7月、ベトナム子会社の工場の増設を終えている。現地での生産能力を3倍に引き上げることが可能で、今後受注が増えても対応できる態勢を整えている。 既に半導体装置メーカーによる評価試験を順次進めている。同社は「今後も需要が伸びる次世代半導体製造に貢献できる。確実に将来の会社の柱になる製品」としている。(筒井晴信)