エルピーダメモリ(株)【6665】の掲示板

>>148143

＞ReRAMの研究開発で最も多く用いられている材料はハフニウム酸化物だが、これは偶然ではない。CMOSロジックの微細化によって登場したHKMG(高誘電率ゲート絶縁膜と金属ゲート)トランジスタ技術で標準的に使われている絶縁膜材料が、ハフニウム酸化物なのである。特性が比較的良く把握されている材料であり、半導体製造工程では特別な材料ではない。

　MRAMは大容量化ではなく、キャッシュや不揮発性ロジックなどの研究の比重が高まりつつある。PCMは、研究開発そのものが活発さを失いつつあるようにみえる。NANDフラッシュメモリに対抗する大容量化を実現できそうな次世代不揮発性メモリは、ReRAMだけになる兆しが見えてきた。2014年には、研究開発トレンドはさらに明確になるだろう。
http://m.pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20130603_601975.html

エルピーダのReRAM
＞　エルピーダメモリが抵抗変化メモリの記憶素子に選んだ材料は、酸化ハフニウム(HfOx)系である。この材料はDRAMセルのキャパシタ絶縁膜ですでに実用化されており、DRAMベンダーであるエルピーダメモリにとっては比較的扱いやすい。抵抗変化メモリを量産することになっても、DRAMの生産ラインをほぼそのまま流用できるとする。 http://m.pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20120126_507306.html

マイクロンの勝利！ ですよね。