CMP工程自体がなくなればこの銘柄は終わり!
サムスン電子、HBM4EハイブリッドボンディングでCMP依存を低減
サムスン電子は、次世代高帯域幅メモリ(HBM)生産においてハイブリッドボンディング工程の採用を加速させている。この文脈で、同社が化学機械研磨(CMP)への依存を減らすため、ウェット原子層エッチング(ALE)技術の適用を検討していると報じられている。
CMPは、銅表面全体を平坦化するための必須工程である。先端ノードでは、粒子汚染管理に関する高いリスクを伴い、また設備および消耗品のコストが高いという欠点もある。サムスンは全体的な平坦化には従来のCMPを継続して使用しつつ、銅表面の地形を精密に調整するためにウェットALEを適用することで、ハイブリッドボンディングの歩留まり向上と工程コスト削減を同時に目指す計画だ。
業界筋によると、1月7日、サムスンはHBMハイブリッドボンディングにおいてCMPの補完手段としてウェットALE技術を特定し、それに関する研究開発努力を集中させている。
ALEは、原子層レベルで材料を精密に除去するエッチング技術である。サムスンが評価中のウェットALEの変種は、液体化学溶液中でこのエッチング工程を実行する。プラズマベースのドライエッチングと比較して、ウェットエッチングは処理速度の速さ、工程の簡素さ、低コストなどの利点を提供する。
サムスンは、HBMハイブリッドボンディングにこのウェットALEを導入する技術を開発中であり、特定のCMP工程を補完する。
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