検索結果 スレッド コメント 最新の投稿順 古い投稿順 1件中 1件 - 1件を表示 電気機器> (株)アドバンテスト HBMとは? HBM(Hig… tem***** 2024/04/29 13:37 HBMとは? HBM(High Bandwidth Memory)とは非常に高い帯域幅(データ転送速度)を持ったDRAMです。 HBMの特徴1:3Dスタッキング技術 HBMは複数のメモリ層を垂直に積み重ねる3Dスタッキング技術を使用しています。これにより、従来の平面メモリよりも多くのデータを高速に処理できます。 例えば、HBM2では1024ビットのインターフェースが一般的です。 HBMの特徴3:低い消費電力 HBMは、高帯域幅を維持しながらも低い消費電力で動作します。 この接続方法により、データの転送速度が向上し、信号の品質が保たれータ転送に必要な電力が少ないためです。 HBMの特徴4:インターポーザ経由の接続 HBMはインターポーザと呼ばれるシリコンの層を介してGPUやCPUに接続されます。 HBMの用途 HBMは、高性能コンピューティング、サーバー、高度なグラフィックス処理、AI、機械学習など、高いメモリ帯域幅を必要とするアプリケーションに適しています。 HBMに欠かせないTSVという技術 HBMで高い帯域幅を実現できる理由は、バス本数の多さにありました。 多くのバス本数を実現できる理由は、TSV(Through Silicon Via)という技術です。 TSV(Through Silicon Via)とは、英語で表現するとシリコンを通り抜ける、と直訳できます。 実際のTSV技術は、メモリの材料(母材)であるシリコンに小さな穴をあけて、その穴を電極で埋めて、高層ビルのように、電気配線を垂直方向につなげる技術です。 TSVを活用することで、横方向に電気配線を接続する「ワイヤーボンド接続」と比較して決められたメモリの面積内で、高さ方向が有効活用できるようになったため、より高密度な配線が可能になります。 さらに、上下層の間の配線距離が、ワイヤーボンド接続よりも非常に短くなるので、信号の伝播遅延も減少し、高い動作周波数が実現できるのです。 また、シリコンの3次元構造を生かして、メモリーの下にロジックICを形成して接続することもでき、ロジックICでメモリーの制御ができ、データ転送の効率化も可能になります。 HBMに、TSVという技術は欠かせない重要なものなのです。
最新の投稿順 古い投稿順 1件中 1件 - 1件を表示 電気機器> (株)アドバンテスト HBMとは? HBM(Hig… tem***** 2024/04/29 13:37 HBMとは? HBM(High Bandwidth Memory)とは非常に高い帯域幅(データ転送速度)を持ったDRAMです。 HBMの特徴1:3Dスタッキング技術 HBMは複数のメモリ層を垂直に積み重ねる3Dスタッキング技術を使用しています。これにより、従来の平面メモリよりも多くのデータを高速に処理できます。 例えば、HBM2では1024ビットのインターフェースが一般的です。 HBMの特徴3:低い消費電力 HBMは、高帯域幅を維持しながらも低い消費電力で動作します。 この接続方法により、データの転送速度が向上し、信号の品質が保たれータ転送に必要な電力が少ないためです。 HBMの特徴4:インターポーザ経由の接続 HBMはインターポーザと呼ばれるシリコンの層を介してGPUやCPUに接続されます。 HBMの用途 HBMは、高性能コンピューティング、サーバー、高度なグラフィックス処理、AI、機械学習など、高いメモリ帯域幅を必要とするアプリケーションに適しています。 HBMに欠かせないTSVという技術 HBMで高い帯域幅を実現できる理由は、バス本数の多さにありました。 多くのバス本数を実現できる理由は、TSV(Through Silicon Via)という技術です。 TSV(Through Silicon Via)とは、英語で表現するとシリコンを通り抜ける、と直訳できます。 実際のTSV技術は、メモリの材料(母材)であるシリコンに小さな穴をあけて、その穴を電極で埋めて、高層ビルのように、電気配線を垂直方向につなげる技術です。 TSVを活用することで、横方向に電気配線を接続する「ワイヤーボンド接続」と比較して決められたメモリの面積内で、高さ方向が有効活用できるようになったため、より高密度な配線が可能になります。 さらに、上下層の間の配線距離が、ワイヤーボンド接続よりも非常に短くなるので、信号の伝播遅延も減少し、高い動作周波数が実現できるのです。 また、シリコンの3次元構造を生かして、メモリーの下にロジックICを形成して接続することもでき、ロジックICでメモリーの制御ができ、データ転送の効率化も可能になります。 HBMに、TSVという技術は欠かせない重要なものなのです。
HBMとは? HBM(Hig…
2024/04/29 13:37
HBMとは? HBM(High Bandwidth Memory)とは非常に高い帯域幅(データ転送速度)を持ったDRAMです。 HBMの特徴1:3Dスタッキング技術 HBMは複数のメモリ層を垂直に積み重ねる3Dスタッキング技術を使用しています。これにより、従来の平面メモリよりも多くのデータを高速に処理できます。 例えば、HBM2では1024ビットのインターフェースが一般的です。 HBMの特徴3:低い消費電力 HBMは、高帯域幅を維持しながらも低い消費電力で動作します。 この接続方法により、データの転送速度が向上し、信号の品質が保たれータ転送に必要な電力が少ないためです。 HBMの特徴4:インターポーザ経由の接続 HBMはインターポーザと呼ばれるシリコンの層を介してGPUやCPUに接続されます。 HBMの用途 HBMは、高性能コンピューティング、サーバー、高度なグラフィックス処理、AI、機械学習など、高いメモリ帯域幅を必要とするアプリケーションに適しています。 HBMに欠かせないTSVという技術 HBMで高い帯域幅を実現できる理由は、バス本数の多さにありました。 多くのバス本数を実現できる理由は、TSV(Through Silicon Via)という技術です。 TSV(Through Silicon Via)とは、英語で表現するとシリコンを通り抜ける、と直訳できます。 実際のTSV技術は、メモリの材料(母材)であるシリコンに小さな穴をあけて、その穴を電極で埋めて、高層ビルのように、電気配線を垂直方向につなげる技術です。 TSVを活用することで、横方向に電気配線を接続する「ワイヤーボンド接続」と比較して決められたメモリの面積内で、高さ方向が有効活用できるようになったため、より高密度な配線が可能になります。 さらに、上下層の間の配線距離が、ワイヤーボンド接続よりも非常に短くなるので、信号の伝播遅延も減少し、高い動作周波数が実現できるのです。 また、シリコンの3次元構造を生かして、メモリーの下にロジックICを形成して接続することもでき、ロジックICでメモリーの制御ができ、データ転送の効率化も可能になります。 HBMに、TSVという技術は欠かせない重要なものなのです。