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> キオクシアの圧倒的な技術的優位性が継続する前提ではそうなんでしょうね ええ、そうです。「キオクシアの圧倒的な技術的優位性」が有ること。これは万人が既に認めて ますので、残る問題は、その「キオクシアの圧倒的な技術的優位性」が今後も「続くか」という ことですね。 まず目先、今月中旬、ハワイで開かれる「VLSI シンポジウム」の次のセッションで、 キオクシア独自の「QLCによる1000層 NAND メモリー」の試作成功？が発表される予定です。 　　https://vlsi26.mapyourshow.com/8_0/sessions/session-details.cfm?scheduleid=245 　　T1.4 | A Multi-Stacked Cell Array Architecture 　　　　　　　with Wafer-to-Wafer Cu Direct Bonding 　　　　　　　for Ultra-High-Density 3D Flash Memory beyond 1,000 Word Lines この「A Multi-Stacked Cell Array Architecture with Wafer-to-Wafer Cu Direct Bonding」 技術は、略称を「MSA-CBA」と言いまして、同社独自の「CBA」の発展版です。なので、ゼロからの 新規開発ではない分、今後の量産開始にも期待が持てます。このうち、 　　・CBA 技術については、こちらを 　　　https://www.youtube.com/watch?v=eCXrIUFVuHo#t=8m34s 　　・その発展版たる「MSA-CBA」については、こちらを 　　　https://www.youtube.com/watch?v=eCXrIUFVuHo#t=11m16s いずれもキオクシアの前身＝東芝メモリーで、SSD基礎技術の開発に従事しておられた 「もふもふ不動産」の「もふ社長」の動画です。 もし動画の視聴が時間の無駄と思われる方は、次の短い記事を。 　　「世界初」成果で1000層超3Dフラッシュに道筋、キオクシアとSandisk 　　https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2604/30/news119.html 短信ではあるものの、これに比肩し得る日本語の文献は、日経クロステックにも、 発見できませんでしたので、本邦最高水準のレポートなのでは？ 心ある皆様には、再三味読に値する短信です。

シゲおじちゃん、分析力足なさ過ぎやで。 450層の「メモリセル」が乗ったウエハと、もう1枚の450層の「メモリセル」ウエハをガッチャンコと上下に貼り合わせたもので、記事にもハッキリ書かれている通り、「現時点ではまだ採算が取れない（Not yet economically viable）」、つまりコストがベラボウに高すぎて量産化の目処は立ってないて書いてあるやないか。 キオクシアのCBA技術は、メモリセル専用のウエハと、制御部の高速駆動回路（CMOS）専用のウエハを別に作って貼り合わせる技術やで。まだ、そこまで到達できてないってことや。 As reported by ET News , Samsung has now reached the 900-layer mark, at least in an experiment. This was achieved by bonding two wafers, each with 450 layers. Samsung calls this process Cell Multi-Bonding (CMB). It is likely to function similarly to the " Xtacking " technology first used by YMTC or the "CBA" (CMOS directly Bonded to Array) technology from Kioxia and SanDisk. Both of these are forms of wafer bonding , a method for fully bonding wafers. However, in the cases of YMTC and Kioxia/SanDisk, it is used to produce the memory cells on one wafer and the I/O circuits on the other. This approach has already yielded economic advantages. In Samsung's research project, which involved a total of 900 layers, both wafers were again equipped with memory cells. While this may not yet be economically viable, it already demonstrates what is possible. The experiment is considered a successful feasibility study, as the cells are said to have exhibited at least " normal operating characteristics ". https://www.computerbase.de/news/storage/3d-nand-samsung-erreicht-im-versuch-bereits-900-layer.97557/ >「25日の半導体業界によると、Samsung Electronicsは最近、独自の「セル・マルチ・ボンディング（CMB）」工程を適用し、900層クラスのV-NAND統合システムを構築。正常なセル動作特性を検証することに成功した。現在、量産市場ではSK Hynixが321層の4D NANDで最も高い層数を記録しているが、Samsung Electronicsは今年400層以上の第10世代V-NAND量産を準備すると同時に、研究段階で900層という高みに到達し、次世代NAND市場での優位を確保した。」 >NAND業界トップがSAMSUNG, 次点でSK Hynixその他は有象無象。

> Morgan Stanley raised its price target on Kioxia by over 50% > following the investor day. > モルガン・スタンレーが今日のインベスターデイを受けて、目標株価を50%以上引き上げたぞ いいですね。原文は、これですか？ https://www.investing.com/news/stock-market-news/kioxia-raises-flash-memory-demand-outlook-at-investor-day-shares-gain-93CH-4722211 さて原文で言ってる Morgan Stanley の 正式なフルネームは、 Morgan Stanley MUFG ですね？ リーマンショックのときに三菱東京銀行に買収された。 だとすれば彼らは、5/15のキオクシア決算発表の後、目標株価を、 3万円から7万円に引き上げましたので・・・ https://sg.finance.yahoo.com/news/wall-street-races-lift-targets-220858647.html 今回は、その7万円から5割増ということなので、新目標値は 105,000円 となりますね。 さすがは天下のモルスタ、株価しか見てない素人とは、違います。 ですが！多分、この新目標値ですら、ですね。早ければ今月中旬に、超えられると思います。 なぜなら、その時期に、でハワイで行われる「VLSI シンポジウム」の次のセッションで、 キオクシア独自の「QLCによる1000層 NAND メモリー」の試作成功？が発表されるからです。 　　https://vlsi26.mapyourshow.com/8_0/sessions/session-details.cfm?scheduleid=245 　　T1.4 | A Multi-Stacked Cell Array Architecture 　　　　　　　with Wafer-to-Wafer Cu Direct Bonding 　　　　　　　for Ultra-High-Density 3D Flash Memory beyond 1,000 Word Lines この「A Multi-Stacked Cell Array Architecture with Wafer-to-Wafer Cu Direct Bonding」 技術は、略称を「MSA-CBA」と言いまして、同社独自の「CBA」の発展版です。なので、ゼロからの 新規開発ではない分、今後の量産開始にも期待が持てます。このうち、 　　・CBA 技術については、こちらを 　　　https://www.youtube.com/watch?v=eCXrIUFVuHo#t=8m34s 　　・その発展版たる「MSA-CBA」については、こちらを 　　　https://www.youtube.com/watch?v=eCXrIUFVuHo#t=11m16s いずれもキオクシアの前身＝東芝メモリーで、SSD基礎技術の開発に従事しておられた 「もふもふ不動産」の「もふ社長」の動画です。 もし動画の視聴が時間の無駄と思われる方は、次の短い記事を。 　　「世界初」成果で1000層超3Dフラッシュに道筋、キオクシアとSandisk 　　https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2604/30/news119.html 短信ではあるものの、これに比肩し得る日本語の文献は、日経クロステックにも、 発見できませんでしたので、本邦最高水準のレポートなのでは？ 心ある皆様には、再三味読に足る短信です。eetimes の 永山準氏によるもの。 要ブックマークかも。

1987年のNAND型フラッシュメモリの発明以来、フラッシュメモリのテクノロジーリーダーとして、常に技術の転換点を創り出してきました。3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の開発や、直近でのCBA（CMOS directly Bonded to Array）技術の導入、新しいコンセプトの半導体メモリ・ストレージ開発など新たな発想の研究開発にも取り組んでおり、今後もテクノロジーリーダーシップを発揮していきます。...キオクシアホールディングス株式会社

マイクロソフトの件のような「クラウドAIのコスト・セキュリティ問題」が話題になるほど、Edge AI Arrayに注目が集まりそう。 ・情報漏洩リスク → 閉域ネットワーク完結で解決 ・クラウドAIのコスト問題 → オンプレミスで従量課金なし ローカルAIの進化も早いし、このレベルで十分、使用に耐えうるってなりそうだね。 もちろん、推論向けのCPUの進化もあるだろうしね。 「95点のAIをクラウドで使う」より「80点のAIをローカルで安全に使う」を選ぶ企業が多くなりそう。

海外の投資家が投稿していたやつを紹介しますね。 $RDWは、未来のAI＋宇宙経済全体で最も重要なインフラ投資の一つとして、ひっそりと君臨しているかもしれない。 20倍のポテンシャルを持つ280ドル株が、14ドルでくつろいでいる ORBITAL DATA CENTERSはもはやSFではない。 $SPCX SpaceX / xAI / より広範な業界の軌道コンピュートインフラに関する話題が、急速に加速している。 Elon Muskによる$RDW買収？ なぜなら、宇宙は複数の巨大なAIボトルネックを一度に解決するからだ： • 常時太陽光発電 • 大気損失なし • 天候障害なし • 受動的真空冷却 • 地上グリッド依存の低減 • 大規模スケーラブルなエネルギー可能性 そして、軌道AIインフラが現実になったら… 必要なものは： • 大規模展開型太陽光発電 • 放射線硬化システム • 熱管理 • 宇宙内製造 • 自動組立システム • ドッキング＋サービスインフラ Redwireはすでに本日、重要な軌道インフラを支えている。 彼らのROSA（Roll-Out Solar Arrays）は、国際宇宙ステーションにすでに展開されており、100%の軌道上成功率を誇る。 ISSのiROSA展開は、ステーションの電力容量を30%以上向上させた。 各ウィングは、寿命開始時の電力レベルで約28kW+を発電する。 ISSシステムの総電力は現在250kWを超える。 $RDWはまた、以下に関連するシステムを提供： • NASA Artemis • Lunar Gateway PPE • Axiom commercial station • Blue Origin Blue Ring • Thales Alenia INSPIRE satellites • NASA DART mission • Defense programs • SpaceX launch ecosystem exposure Redwireは最近ELSAを打ち上げた： • Extensible Low-Profile Solar Array ELSAが重要な理由： • 単位体積あたり約50%の電力増加 • 質量低減 • 打ち上げ保管フットプリントの小型化 • モジュール式スケーラブルアーキテクチャ • 高速生産能力 • ボリューム展開向け設計 • Edge computing • 高出力軌道プラットフォーム • 大規模コンステレーション • 国家安全保障システム • 未来の軌道インフラ 最初のELSA契約はすでに獲得： • Moogとの1280万ドル受注 • 国家安全保障LEOミッション • METEOR衛星プラットフォーム統合 一方、Redwireはより大規模なインフラ契約を積み重ね続けている： • 約5000万ドルのROSAフォローオン生産受注 • NASA＋Artemis関連展開 • Axiom commercial station integrations • 国家安全保障衛星プログラム

ここと関係あるの？ ASEとWUS、高雄に先端AIパッケージ拠点を建設 総投資額350億台湾ドル OSAT大手の台 ASEとプリント基板大手の中 WUS Printed Circuitは2026年5月8日、高雄 市の楠梓科技産業園区に先端半導体パッケージ拠点を建設する戦略提携を発表した。AIおよびHPC向け需要拡大を背景に、先端パッケージ生産能力を強化する。総投資額は約350億台湾ドルで、2029年9月の完成を予定す る。 新施設は延床面積11.3万m~超の最新工場として建設され、FOCOS （Fan-Out Chip on Substrate) PFC BGA (Flip Chip Ball Grid Array）など先端パッケージ技術を中心に展開する。Al、クラウド・コンピューティング、自動運転関連用途向け半導体需要に対応する計画である。 AI普及に伴い、高性能コンピューティンクラウドサービス、データセンタ向け半需要が急増している。特にメモリやロジッン半導体に加え、チップリット統合、特にメモリやロジック半導体に加え、チップレット統合、CoWoS、FOCoSなど高度パッケージ技術への需要が高まっており、設計から製造、パッケージ、基板実装までを含むサプライチェーン全体で連携強化が進んでいる。 新工場では自動化およびスマート製造技術も導入し、生産効率向上を図る。また、安定電力供給を目的として、園区内に161kV変電所を新設する計画である。年間生産額は1ha たり約160億台湾ドルを見込み、2,000人超の雇用創出も想定している。 先端パッケージは、AI向けGPUやHPC向け半導体の性能向上を支える重要技術として位置付けられている。特に大規模AI処理では、複数チップを高密度に接続する2.5D・3D実装技術の重要性が増しており、台湾ではTSMC のCoWoSをはじめ関連投資が拡大している。ASEは半導体後工程最大手として先端パッケージ事業を強化しており、今回の提携を通じてAI関連需要の取り込みを加速する狙いである。

キオクシアが一番強いのは、3D NANDの構造そのものです。 キオクシアの「BiCS FLASH」は、CMOS回路とセルアレイを縦方向に効率よく積むために、CBAという独自の接合技術を量産レベルで入れています CMOS directly Bonded to Array技術で、ロジック部分とメモリセルを別ウエハで最適化し、貼り合わせる構造にしているのが特徴です。(kioxia.com) これにより、セル積層数を増やしてもチップサイズを小さく保ちやすく、読み書き性能と電力効率のトレードオフをかなり攻めた設計ができます。 サムスンも3D NANDでは最先端ですが、CBAのように「ロジックとセルを別最適化して直接ボンディング」という構造はキオクシアがかなり積極的に押し出している領域です。 サムスンよりキオクシアのメモリー技術は優れていますのは事実です