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ソシオネクストは、北米のデータセンター向けの商談が本格化していると2024年4月26日に発表しました12。この商談は、人間のような文章を生成する人工知能(AI)技術や大規模言語モデル(LLM)を引きがねに成長する市場に向けたもので、ソシオネクストの将来に大きな影響を与えると考えられています。 具体的には、2023年度には約2500億円の商談を獲得し、そのうち300億円以上が4件、100億円以上が3件となっています1。また、北米のデータセンター向けで3nm製品の商談が進んでおり、2024年3月時点の商談獲得残高は1兆0200億円で、新規案件は約2500億円増加しています。 これらの商談は、オートモーティブが約50%、米国が約40%となっており、2024年度以降の売上見込みは約500億円とされています。これらの商談が成功すれば、ソシオネクストの売上成長が加速すると見込まれています。ただし、まだ法的拘束力のある契約には至っていないため、今後の動向に注目が集まっています
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zen5が4nmなら全セグメントで負ける事が確定する…。 出るわけない、出してから言えと言われてたIntel3より先に20a/18aがほぼ確実に出てくることが確定してしまったのだからさっさと逃げておいた方がどう見ても懸命
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野村レーティング引き上げ🚀 株価は2月16日の5,230円の高値をつけた後、対TOPIXで約25%アンダーパフォームした。要因は24.3期Q4決算でのQ0Q受注の大幅減少と粗利率下落、会社コメントなどによるNAND投資回復の期待後退、大株主ロックアップ解除による需給懸念などだろう。一方で、今回野村予想はGAA構造売上など中心に上方修正した。25.3期上期は受注の回復と、200mm向け装置売上増による粗利率上昇を確認できよう。同下期にはTSMCの2nmプロセスなどで導入されるGAA向けで、開発向けから量産向けに受注が移行、受注増が期待できるなど、今後は株価も業績アップサイドを意識した形成となろう。 中期的にはNAND売上の本格回復もカタリストとなろう。野村予想に現時点で織り込まないが、株主還方針と25.3期のネットキャッシュ転換、26.3期からの有利子負債償還も考慮した還元原資FCFプラス化などを勘案すると、株主還元拡大が26.3期以降に実現する可能性もある。 バリュエーション手法は前回から変更はない。26.3期修正EPS207.7円に対して、PER26~27倍(従来25~26倍、ベンチマークRN Large Cap(除く金融)上昇を反映)を適用した5,450円を目標株価とする。
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昨今の半導体技術ではムーアの法則が頭打ちになってきたことで、さらなる性能向上もしくは集積度向上策として3次元絶縁成膜積層技術が必須になりつつあります。 (1)先端3Dロジック半導体、(2)チップレット集積についてベルギー imecなどでの研究も踏まえた最新の開発動向を具体的に紹介すると共に、今後の方向性を展望します。 ロジック半導体はAI半導体やデータセンターでのさらなる活用が見込まれています。 そのロジック半導体の2nmノード以降での適用が期待されている先端3D集積配線形成技術が「Backside Power Delivery Network (BSPDN)」。 このBSPDNを中心に前工程において後工程の接合や薄化技術を活用することが検討されています。 また、新規の接合技術では「ハイブリッド接合」に大きな期待が寄せられています。裏面照射型CMOSイメージセンサーでは、既にハイブリッド接合が実用化されています。 さらにチップサイズ縮小と高速化のために、3次元フラッシュメモリにおいても応用が検討されています。 このハイブリッド接合技術は「ダマシン配線」、「CMP」、「洗浄」、「プラズマ活性化直接接合」等の要素技術を駆使し、デバイスを3D集積する新規な接合技術です。 今後はピッチの縮小に挑むことになり、現在の1μmピッチ程度から、将来的には500nmピッチ以下を目指すことになります。 このような微細ハイブリッド接合を達成するためには多くの課題が残っており、さまざまな研究機関、デバイスメーカー、装置メーカー、材料メーカーが研究開発を進めています。 マイクロプロセッサーなどロジック半導体では低消費電力、高Yield(歩留まり)、Time-to-Marketの短縮のためにチップレット集積が注目されています。その中でも大きな課題となっているのは垂直方向配線のピッチ縮小です。 この課題に対し、現状のソルダー熱圧着の代替としてのここでもハイブリッド接合に期待がかかっています。
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私には夢がある。 ラピダスが本当に2nmを完成させ、本当にアップルから注文を受けて出荷し、信頼性不良で何千億円も補償を踏んだくられ、アツプルのシェアが落ちて国産スマホの売上が上がる夢を。 キング牧師
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日本の半導体はパワー系で薄利狙ってくしかないでしょ nm単位の最小化を追及する投資もないできないだろうし
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昨今の半導体技術ではムーアの法則が頭打ちになってきたことで、さらなる性能向上もしくは集積度向上策として3次元集積が必須になりつつあります。 (1)先端3Dロジック半導体、(2)チップレット集積についてベルギー imecなどでの研究も踏まえた最新の開発動向を具体的に紹介すると共に、今後の方向性を展望します。 ロジック半導体はAI半導体やデータセンターでのさらなる活用が見込まれています。 そのロジック半導体の2nmノード以降での適用が期待されている先端3D集積配線形成技術が「Backside Power Delivery Network (BSPDN)」。 このBSPDNを中心に前工程において後工程の接合や薄化技術を活用することが検討されています。 また、新規の接合技術では「ハイブリッド接合」に大きな期待が寄せられています。裏面照射型CMOSイメージセンサーでは、既にハイブリッド接合が実用化されています。 さらにチップサイズ縮小と高速化のために、3次元フラッシュメモリにおいても応用が検討されています。 このハイブリッド接合技術は「ダマシン配線」、「CMP」、「洗浄」、「プラズマ活性化直接接合」等の要素技術を駆使し、デバイスを3D集積する新規な接合技術です。 今後はピッチの縮小に挑むことになり、現在の1μmピッチ程度から、将来的には500nmピッチ以下を目指すことになります。 このような微細ハイブリッド接合を達成するためには多くの課題が残っており、さまざまな研究機関、デバイスメーカー、装置メーカー、材料メーカーが研究開発を進めています。 マイクロプロセッサーなどロジック半導体では低消費電力、高Yield(歩留まり)、Time-to-Marketの短縮のためにチップレット集積が注目されています。その中でも大きな課題となっているのは垂直方向配線のピッチ縮小です。 この課題に対し、現状のソルダー熱圧着の代替としてのここでもハイブリッド接合に期待がかかっています。
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3nm 2nm じきに来る 未来はそう言うこと
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h ttps://www.youtube.com/watch?v=bU0mMjs-7NM 5.27 第3政党の大統領候補は共和党 民主党にどっちに有利 12,527 回視聴 2024/05/28 3 時間前 カナダ人ニュース 19分31秒
日本政府と複数の大手企業が支援…
2024/05/28 20:38
日本政府と複数の大手企業が支援するファウンドリスタートアップのRapidusは320億ドル(約5兆円)の資金を投じ、北海道に最初の最先端ファブ(半導体工場)を2027年に稼働させ、半導体の世界市場に参入する予定です。さらにRapidusは2nmプロセスでのチップ製造に加え、同施設内で生産されたチップのパッケージングサービスも提供する方針を明らかにしました。