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えぇっ(;´Д`)私のことですか?もしそうでしたら、恥ずかしながら皆様のほうがずっと資産は多いと思います なんせネパールではハイパー貧乏な生活をしてたもので 飲料水汲みに行ったらミミズがコンニチワとか、トイペ高いので(コロナ直前の価格で1つ50円)現地の皆様と同じように左手で拭こうとしたら利き腕じゃないので拭きにくくて右手で拭いて、その手で普通に握手してたのは現地の友人・知人には今でも内緒です(´-`) ちなみに、個人的な投資方法はツイッターで外国人アナリスト及び投資家の過去の発言を精査し的中率が高い人のみ抽出し、適宜フォローの見直しをしています。 それが非常に有効でして、大損することがほぼ無くなりました。ちなみに機会があればここで紹介しますが、1540の乖離を早期から予測していた英語しか話さない捻くれた日本人アナリストもいまして、彼も非常に優秀です。
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英語のできる新人IR担当の入社は大口外国人投資家やファンドの勧誘に有効!
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HBMに欠かせないTSVという技術 =====★超重要★===== KOKUSAIの持つ、原子レベルの絶縁膜によるTSV化に依存する3D絶縁膜積層化技術 ============== HBMで高い帯域幅を実現できる理由は、バス本数の多さにありました。 多くのバス本数を実現できる理由は、TSV(Through Silicon Via)という技術です。 TSV(Through Silicon Via)とは、英語で表現するとシリコンを通り抜ける、と直訳できます。 実際のTSV技術は、メモリの材料(母材)であるシリコンに小さな穴をあけて、その穴を電極で埋めて、高層ビルのように、電気配線を垂直方向につなげる技術です。 TSVを活用することで、横方向に電気配線を接続する「ワイヤーボンド接続」と比較して決められたメモリの面積内で、高さ方向が有効活用できるようになったため、より高密度な配線が可能になります。 さらに、上下層の間の配線距離が、ワイヤーボンド接続よりも非常に短くなるので、信号の伝播遅延も減少し、高い動作周波数が実現できるのです。 また、シリコンの3次元構造を生かして、メモリーの下にロジックICを形成して接続することもでき、ロジックICでメモリーの制御ができ、データ転送の効率化も可能になります。 異常の理由によりHBMに、TSVという技術は欠かせない重要なものなのです。
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HBMに欠かせないTSVという技術 =====★超重要★===== KOKUSAIの持つ、原子レベルの絶縁膜によるTSV化に依存する3D絶縁膜積層化技術 ============== HBMで高い帯域幅を実現できる理由は、バス本数の多さにありました。 多くのバス本数を実現できる理由は、TSV(Through Silicon Via)という技術です。 TSV(Through Silicon Via)とは、英語で表現するとシリコンを通り抜ける、と直訳できます。 実際のTSV技術は、メモリの材料(母材)であるシリコンに小さな穴をあけて、その穴を電極で埋めて、高層ビルのように、電気配線を垂直方向につなげる技術です。 TSVを活用することで、横方向に電気配線を接続する「ワイヤーボンド接続」と比較して決められたメモリの面積内で、高さ方向が有効活用できるようになったため、より高密度な配線が可能になります。 さらに、上下層の間の配線距離が、ワイヤーボンド接続よりも非常に短くなるので、信号の伝播遅延も減少し、高い動作周波数が実現できるのです。 また、シリコンの3次元構造を生かして、メモリーの下にロジックICを形成して接続することもでき、ロジックICでメモリーの制御ができ、データ転送の効率化も可能になります。 異常の理由によりHBMに、TSVという技術は欠かせない重要なものなのです。
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HBMとは? HBM(High Bandwidth Memory)とは非常に高い帯域幅(データ転送速度)を持ったDRAMです。 HBMの特徴1:3Dスタッキング技術 HBMは複数のメモリ層を垂直に積み重ねる3Dスタッキング技術を使用しています。これにより、従来の平面メモリよりも多くのデータを高速に処理できます。 例えば、HBM2では1024ビットのインターフェースが一般的です。 HBMの特徴3:低い消費電力 HBMは、高帯域幅を維持しながらも低い消費電力で動作します。 この接続方法により、データの転送速度が向上し、信号の品質が保たれータ転送に必要な電力が少ないためです。 HBMの特徴4:インターポーザ経由の接続 HBMはインターポーザと呼ばれるシリコンの層を介してGPUやCPUに接続されます。 HBMの用途 HBMは、高性能コンピューティング、サーバー、高度なグラフィックス処理、AI、機械学習など、高いメモリ帯域幅を必要とするアプリケーションに適しています。 HBMに欠かせないTSVという技術 HBMで高い帯域幅を実現できる理由は、バス本数の多さにありました。 多くのバス本数を実現できる理由は、TSV(Through Silicon Via)という技術です。 TSV(Through Silicon Via)とは、英語で表現するとシリコンを通り抜ける、と直訳できます。 実際のTSV技術は、メモリの材料(母材)であるシリコンに小さな穴をあけて、その穴を電極で埋めて、高層ビルのように、電気配線を垂直方向につなげる技術です。 TSVを活用することで、横方向に電気配線を接続する「ワイヤーボンド接続」と比較して決められたメモリの面積内で、高さ方向が有効活用できるようになったため、より高密度な配線が可能になります。 さらに、上下層の間の配線距離が、ワイヤーボンド接続よりも非常に短くなるので、信号の伝播遅延も減少し、高い動作周波数が実現できるのです。 また、シリコンの3次元構造を生かして、メモリーの下にロジックICを形成して接続することもでき、ロジックICでメモリーの制御ができ、データ転送の効率化も可能になります。 HBMに、TSVという技術は欠かせない重要なものなのです。
9月の衆議院選前に上川総理を …
2024/05/21 09:33
9月の衆議院選前に上川総理を 経歴見たら英語もバリバリでかなりの才女だ。 特に外交面では強いだろう。 岸田氏がへばり付いての選挙戦は避けた方がいいかな。 他に将来の総理候補とされている人は何人も居るけど選挙前だからこそ有効。 米国さえ出し抜いて日本がいち早く初の女性総理。 庶民、特に女性の心を掴むイメージ戦略だな。 裏で彼女を支えるスタッフは上げ足取り政治しかできない情けない野党やマスコミの餌食にならぬよう発する言葉の一字一句も吟味してアドバイスするべきだろう。 自公政権が続くというのは俺も是としない。 しかし野党が徒党を組んでこの国の舵取りする悪夢の再来だけは御免だ。 3党連合になっても数で勝る維新が自民を一番に補完してやって欲しいな。 時期を見て公明は下野させたらよろしい。 繰り返しません過ちは。